| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-13页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·研究现状 | 第9-11页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第11-12页 |
| ·论文结构 | 第12-13页 |
| 第2章 单粒子效应概述 | 第13-23页 |
| ·空间辐射环境 | 第13-15页 |
| ·单粒子效应的物理机制 | 第15-17页 |
| ·能量沉积 | 第15-16页 |
| ·电荷收集 | 第16-17页 |
| ·单粒子效应的分类 | 第17-19页 |
| ·单粒子效应的评估方法 | 第19-22页 |
| ·地面模拟实验 | 第20-22页 |
| ·计算机仿真模拟 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 TCAD 和GEANT4 在单粒子效应中的应用 | 第23-35页 |
| ·TCAD 在单粒子效应评估中的应用 | 第23-31页 |
| ·TCAD 仿真模拟的物理基础 | 第23-25页 |
| ·TCAD 模拟的主要流程 | 第25-31页 |
| ·GEANT4 在单粒子效应中的应用 | 第31-34页 |
| ·蒙特卡罗方法概述 | 第31-32页 |
| ·Geant4 工具包概述 | 第32页 |
| ·Geant4 的基本原理 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 基于TCAD 和GEANT4 的单粒子效应评估方法 | 第35-44页 |
| ·前言 | 第35页 |
| ·重离子单粒子效应的评估 | 第35-39页 |
| ·模拟方法 | 第35-37页 |
| ·器件模型 | 第37-38页 |
| ·模拟结果 | 第38-39页 |
| ·质子单粒子效应的评估 | 第39-43页 |
| ·模拟方法 | 第39-40页 |
| ·程序采用的物理过程和核反应模型 | 第40-41页 |
| ·C-S 减方差方法 | 第41-42页 |
| ·模拟结果 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究 | 第44-50页 |
| ·前言 | 第44页 |
| ·器件模型 | 第44-46页 |
| ·模拟结果与分析 | 第46-48页 |
| ·普通NMOS 管的电荷收集 | 第46-48页 |
| ·节点隔离NMOS 管的电荷收集 | 第48页 |
| ·结论 | 第48-50页 |
| 第6章 空间单粒子效应评估系统初步 | 第50-61页 |
| ·前言 | 第50-51页 |
| ·单粒子在轨翻转率计算 | 第51-55页 |
| ·计算实例 | 第55-60页 |
| ·空间环境 | 第55-57页 |
| ·屏蔽分析 | 第57-58页 |
| ·在轨翻转率 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第7章 总结与展望 | 第61-64页 |
| ·总结 | 第61-62页 |
| ·展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 发表文章目录 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |