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配永磁机构真空断路器的预击穿特性研究

致谢第1-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7-10页
1 引言第10-14页
   ·选题背景和意义第10-11页
   ·国内外研究现状和不足第11-13页
   ·本文的主要工作第13-14页
2 真空间隙击穿理论第14-24页
   ·真空间隙绝缘击穿的机理第14-16页
     ·场致电子发射第14-15页
     ·微粒迁移第15-16页
     ·粒子交换第16页
   ·真空开关的预击穿现象第16-19页
   ·影响真空间隙预击穿的因素第19-22页
     ·触头材料及开距第19页
     ·触头表面状况第19-20页
     ·横向磁场第20-21页
     ·真空度第21页
     ·老炼作用第21-22页
   ·小结第22-24页
3 合闸时间分散性及其补偿第24-34页
   ·操动机构动作时间的分散性第24-27页
     ·控制电压的影响第26页
     ·环境温度的影响第26-27页
     ·老化和磨损的影响第27页
   ·合闸时间分散性的补偿第27-28页
     ·控制电压和环境温度的补偿第27-28页
     ·老化和磨损的补偿第28页
     ·控制信号离散性的补偿第28页
   ·基于合闸时间分散性的最佳合闸相位第28-33页
     ·最佳合闸相位计算方式第28-31页
     ·仿真结果与分析第31-33页
   ·小结第33-34页
4 预击穿试验及结果分析第34-51页
   ·永磁机构控制原理第35-36页
   ·选相合闸原理第36-38页
   ·控制界面第38页
   ·位移的测量第38-39页
   ·试验线路搭建第39-43页
   ·试验结果分析第43-49页
     ·预击穿特性分析第43-47页
     ·合闸时间分散性第47-48页
     ·合闸速度对预击穿的影响第48-49页
     ·工频交流电压与直流电压下预击穿特性的比较第49页
   ·小结第49-51页
5 基于BP神经网络的预击穿特性建模第51-63页
   ·人工神经网络概述第51-56页
     ·神经网络学习的原理第51-52页
     ·人工神经网络的优缺点第52-54页
     ·BP神经网络学习过程第54-56页
   ·BP网络的建模第56-62页
     ·BP网络结构的设计第56-59页
     ·BP网络训练第59-60页
     ·BP神经网络训练结果第60-62页
   ·小结第62-63页
6 结论第63-64页
参考文献第64-66页
附录第66-68页
作者简历第68-70页
学位论文数据集第70页

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