| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-16页 |
| ·平板显示技术概述 | 第10-11页 |
| ·OLED 显示技术 | 第11-14页 |
| ·OLED 显示技术发展历程 | 第11-13页 |
| ·OLED 显示技术及产业发展现状 | 第13-14页 |
| ·本文的研究内容 | 第14-16页 |
| ·本论文的研究意义 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 有机电致发光驱动特性 | 第16-24页 |
| ·OLED 的发光原理及结构 | 第16页 |
| ·OLED 的驱动技术分析 | 第16-19页 |
| ·无源驱动方式 | 第17-18页 |
| ·有源驱动方式 | 第18-19页 |
| ·OLED 有源驱动方式薄膜晶体管 | 第19-24页 |
| ·薄膜晶体管的发展历程 | 第19-20页 |
| ·TFT 的工作原理 | 第20-22页 |
| ·非晶硅薄膜晶体管与其他薄膜晶体管性能比较 | 第22-24页 |
| 第三章 a-Si:H TFT 的组成膜的制备 | 第24-45页 |
| ·Al 薄膜的制备 | 第24-25页 |
| ·SiNx 薄膜的制备与性能测试 | 第25-40页 |
| ·SiNx 薄膜性能对a-Si:H TFT 性能的影响 | 第26-27页 |
| ·化学气相沉积技术原理 | 第27-30页 |
| ·PECVD 制备SiNx 薄膜 | 第30-33页 |
| ·氮化硅薄膜性能测量 | 第33-34页 |
| ·测试结果分析与讨论 | 第34-40页 |
| ·a-Si:H 薄膜的制备 | 第40-43页 |
| ·a-Si:H 薄膜性能对a-Si:H TFT 性能的影响 | 第40页 |
| ·a-Si:H 薄膜的制备 | 第40-43页 |
| ·界面特性的改善 | 第43页 |
| ·N~+A-SI:H 膜的制备 | 第43-45页 |
| 第四章 薄膜晶体管的制作 | 第45-57页 |
| ·a-Si:H TFT 结构参数与掩膜板设计 | 第45-49页 |
| ·a-Si:H TFT 结构参数设计 | 第45-46页 |
| ·TFT 掩膜板设计 | 第46-49页 |
| ·TFT 的制备工艺 | 第49-55页 |
| ·基片的清洁技术 | 第49-50页 |
| ·光刻工艺 | 第50-53页 |
| ·刻蚀工艺 | 第53-55页 |
| ·光刻及刻蚀缺陷 | 第55页 |
| ·TFT 的参数测试与分析 | 第55-57页 |
| 第五章 a-Si:H AM-OLED 像素电路稳定性分析 | 第57-63页 |
| ·AM-OLED 驱动方式 | 第57-58页 |
| ·电流型像素电路稳定性分析 | 第58-63页 |
| ·AM-OLED 像素电路工作原理与参数选择 | 第58-60页 |
| ·像素电流稳定性分析 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 个人简历 | 第69页 |
| 硕士研究生期间发表的论文 | 第69-70页 |
