摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-6页 |
目录 | 第6-9页 |
第一章 绪论 | 第9-22页 |
·多孔纳米结构材料的定义和发展 | 第9-11页 |
·介孔SiO_2的制备方法及一些背景知识 | 第11-14页 |
·介孔SiO_2的制备方法 | 第11-13页 |
·Sol-Gel法 | 第11页 |
·水热合成法 | 第11-13页 |
·关于介孔SiO_2的一些背景知识 | 第13-14页 |
·生成机理 | 第13页 |
·表面活性剂的利用与去除 | 第13-14页 |
·对介孔SiO_2的改性研究及其潜在应用领域 | 第14-17页 |
·介孔SiO_2表面改性机理 | 第14-15页 |
·介孔SiO_2表面改性方法 | 第15-16页 |
·介孔材料的潜在应用 | 第16-17页 |
·催化应用 | 第16页 |
·化学分离 | 第16页 |
·光学应用 | 第16页 |
·环保方面的应用 | 第16-17页 |
·选题的意义及研究思路 | 第17-18页 |
参考文献 | 第18-22页 |
第二章 KH550对介孔SiO_2的改性研究 | 第22-41页 |
·引言 | 第22-23页 |
·实验步骤 | 第23-26页 |
·主要试剂和原料 | 第23-24页 |
·实验过程 | 第24-25页 |
·介孔SiO_2的合成 | 第24页 |
·对介孔SiO_2的改性 | 第24页 |
·吸附试验 | 第24-25页 |
·主要测试手段 | 第25-26页 |
·X射线衍射(XRD)测试 | 第25页 |
·透射电子显微镜(TEM)测试 | 第25页 |
·比表面积(BET)测试 | 第25页 |
·傅立叶红外光谱(FT-IR)测试 | 第25页 |
·热重(TGA)分析 | 第25页 |
·原子吸收光谱(AAS)测试 | 第25-26页 |
·结果与讨论 | 第26-39页 |
·不同反应条件对介孔SiO_2孔结构的影响 | 第26-30页 |
·不同pH值对介孔SiO_2的孔结构的影响(A1、A2、A3、A4、A5) | 第27-28页 |
·不同醇水比例对介孔SiO_2的孔结构的影响(B1、B2、B3) | 第28-29页 |
2 3.1.3 不同煅烧温度对介孔SiO_2的孔结构的影响(C2-550℃、C3-650℃、C4-750℃) | 第29-30页 |
·不同后处理SiO_2氨基改性后对Cu~(2+)的吸附性能研究 | 第30-35页 |
·红外光谱(FT-IR)分析 | 第30-31页 |
·氮气吸附脱附曲线分析 | 第31-32页 |
·TEM分析 | 第32-33页 |
·氨基改性介孔SiO_2的吸附性能研究 | 第33-34页 |
·热重分析 | 第34-35页 |
·不同比例KH550氨基改性SiO_2后对Cu~(2+)的吸附性能研究 | 第35-39页 |
·红外光谱分析 | 第36-37页 |
·热重分析 | 第37-39页 |
·本章小结 | 第39页 |
参考文献 | 第39-41页 |
第三章 多孔MO_x/SiO_2纳米复合材料的制备与表征 | 第41-63页 |
·引言 | 第41-42页 |
·实验步骤 | 第42-43页 |
·主要试剂和原料 | 第42页 |
·试样表征 | 第42-43页 |
·样品的制备过程 | 第43页 |
·不同酸度条件下掺杂Cu的产物分析 | 第43-50页 |
·合成样品的孔结构分析 | 第43-47页 |
·对样品的N_2吸附-脱附曲线分析 | 第44-45页 |
·合成样品的孔径分布分析 | 第45-47页 |
·合成样品的晶相分析 | 第47-48页 |
·合成样品的红外光谱分析 | 第48页 |
·合成样品的ICP分析 | 第48-49页 |
·合成样品的HRTEM分析 | 第49-50页 |
·同一酸度下不同比例Cu盐负载量对材料孔结构的影响(pH=1.0) | 第50-52页 |
·对样品的孔结构分析 | 第50-51页 |
·对样品的晶相分析 | 第51-52页 |
·对样品的红外图谱分析 | 第52页 |
·同一酸度下(pH=1.5)不同盐对材料孔结构的影响 | 第52-55页 |
·不同酸度下负载Mn的产物分析 | 第55-59页 |
·掺杂Mn的SiO_2的孔结构分析 | 第55-57页 |
·掺杂Mn的SiO_2的N_2吸附-脱附曲线分析 | 第55-56页 |
·掺杂Mn的SiO_2的孔径分布分析 | 第56-57页 |
·掺杂Mn的SiO_2的晶相分析 | 第57-58页 |
·掺杂Mn的SiO_2的红外分析 | 第58-59页 |
·样品C1中Mn的XPS分析 | 第59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-63页 |
致谢 | 第63-64页 |
附录 | 第64-65页 |