| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-18页 |
| 一、研究背景 | 第12-15页 |
| 二、研究意义 | 第15页 |
| 三、本文工作 | 第15-18页 |
| 第二章 相关基础知识 | 第18-40页 |
| ·原子核反应 | 第18-25页 |
| ·概述 | 第18-19页 |
| ·核反应中的守恒定律 | 第19-21页 |
| ·实验室坐标系与质心坐标系 | 第21-25页 |
| ·核天体物理中的几个基本概念 | 第25-33页 |
| ·热核反应率 | 第25-26页 |
| ·库仑势垒 | 第26-28页 |
| ·天体物理学S因子 | 第28-29页 |
| ·伽莫夫窗 | 第29-31页 |
| ·电子屏蔽 | 第31-33页 |
| ·金属中氘离子行为分析 | 第33-40页 |
| ·金属中的氢 | 第33-35页 |
| ·氘在金属中的扩散 | 第35-40页 |
| 第三章 电子屏蔽效应研究进展 | 第40-58页 |
| ·电子屏蔽效应的实验研究 | 第40-42页 |
| ·电子屏蔽效应的发现 | 第40页 |
| ·电子屏蔽效应研究方法 | 第40-42页 |
| ·电子屏蔽效应的理论研究 | 第42-48页 |
| ·电子屏蔽效应的静力学描述(Static picture) | 第42-46页 |
| ·电子屏蔽效应的动力学描述(Dynamic picture) | 第46-48页 |
| ·电子屏蔽效应实验结果与理论模型之间的矛盾 | 第48-51页 |
| ·金属环境中电子屏蔽效应研究现状 | 第51-58页 |
| ·柏林技术大学 | 第51-52页 |
| ·玻鸿鲁尔大学 | 第52-55页 |
| ·日本东北大学与中国兰州大学 | 第55-58页 |
| 第四章 实验装置及实验过程 | 第58-68页 |
| ·离子源 | 第58-61页 |
| ·真空靶室 | 第61-63页 |
| ·探测器 | 第63-64页 |
| ·电子学测量电路 | 第64-65页 |
| ·实验过程 | 第65-68页 |
| ·靶的制备 | 第65-66页 |
| ·测量不同能量D(d,p)T反应的产额 | 第66-68页 |
| 第五章 测量结果 | 第68-76页 |
| 第六章 数据分析 | 第76-106页 |
| ·D(d,p)T反应的质子产额 | 第76-87页 |
| ·反应截面 | 第76-78页 |
| ·阻止本领 | 第78-82页 |
| ·D(d,p)T反应的角分布 | 第82-84页 |
| ·探测器所张立体角 | 第84-87页 |
| ·氘的辐照剂量 | 第87页 |
| ·屏蔽势能的导出 | 第87-89页 |
| ·金属靶中氘密度分布 | 第89-97页 |
| ·氘的非均匀分布 | 第89-91页 |
| ·氘密度深度分布模型 | 第91-93页 |
| ·氘分布模型的验证 | 第93-97页 |
| ·考虑氘分布的屏蔽势能 | 第97-100页 |
| ·屏蔽效应作用机制 | 第100-101页 |
| ·激发函数 | 第101-102页 |
| ·质子产额与温度相关性 | 第102-104页 |
| ·误差分析 | 第104-106页 |
| ·系统误差 | 第104页 |
| ·偶然误差 | 第104-106页 |
| 第七章 总结与展望 | 第106-110页 |
| ·论文工作总结 | 第106-107页 |
| ·对今后工作的展望 | 第107-110页 |
| 参考文献 | 第110-118页 |
| 在学期间发表文章情况 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-122页 |
| 附录A χ~2检验及U_e误差 | 第122-124页 |
| 附录B D(d,p)T反应质子产额的导出 | 第124-126页 |
| 附录C 附图 | 第126-134页 |
| C.1 实验设备实物图 | 第126-128页 |
| C.2 实验结果数据图 | 第128-134页 |
| 附录D Matlab程序 | 第134-142页 |