| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章绪论 | 第9-17页 |
| 1.1二维（2D）磁性材料 | 第9-10页 |
| 1.2纳米团簇及团簇组装材料 | 第10-12页 |
| 1.2.1团簇及“超原子”的研究 | 第10-11页 |
| 1.2.2团簇组装材料的研究与发展 | 第11-12页 |
| 1.3过渡金属硅团簇及其组装的研究 | 第12-14页 |
| 1.3.1过渡金属硅团簇的研究 | 第12-14页 |
| 1.3.2过渡金属硅团簇的组装 | 第14页 |
| 1.4本文的研究工作 | 第14-17页 |
| 第二章理论基础和计算方法 | 第17-29页 |
| 2.1材料的磁性研究 | 第17-18页 |
| 2.2第一性原理计算 | 第18-20页 |
| 2.3密度泛函理论 | 第20-26页 |
| 2.3.1Thomas-Fermi-Dirac近似 | 第21页 |
| 2.3.2Hohenberg-Kohn定理 | 第21-22页 |
| 2.3.3Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
| 2.3.4交换关联泛函 | 第23-26页 |
| 2.4分子动力学 | 第26-29页 |
| 2.4.1经典分子动力学 | 第26-27页 |
| 2.4.2第一性原理分子动力学 | 第27-29页 |
| 第三章Ta@Si16超原子二维薄膜的自组装、磁性和光催化性质 | 第29-49页 |
| 3.1引言 | 第29页 |
| 3.2理论模型和计算细节 | 第29-30页 |
| 3.3结果与讨论 | 第30-49页 |
| 3.3.1单个Ta@Si16团簇 | 第30-32页 |
| 3.3.2Ta@Si16（D4d）二聚体的组装 | 第32-35页 |
| 3.3.3Ta@Si16（D4d）超原子的2D自组装 | 第35-39页 |
| 3.3.4Ta@Si16（D4d）在石墨烯表面上的自组装 | 第39-42页 |
| 3.3.5Ta@Si16（D4d）在C60表面上的自组装 | 第42-47页 |
| 3.3.6小结 | 第47-49页 |
| 第四章C60表面上Ti@Si16自组装2D晶格的结构和光催化性质 | 第49-55页 |
| 4.1引言 | 第49页 |
| 4.2理论模型和计算细节 | 第49-50页 |
| 4.3结果与讨论 | 第50-55页 |
| 4.3.1组装Ti@Si16/C60二聚体 | 第50-51页 |
| 4.3.2Ti@Si16/C60二维界面的结构和稳定性 | 第51-52页 |
| 4.3.3Ti@Si16/C60二维界面结构的电子性质 | 第52-54页 |
| 4.3.4小结 | 第54-55页 |
| 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
