| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 偏滤器工作环境介绍 | 第9-12页 |
| 1.1.1 材料在高热负荷下的损伤行为 | 第9-10页 |
| 1.1.2 材料在粒子辐照下的损伤行为 | 第10-11页 |
| 1.1.3 材料在热与粒子辐照下的损伤行为 | 第11-12页 |
| 1.2 偏滤器材料的选择 | 第12-14页 |
| 1.2.1 面向等离子体材料 | 第13页 |
| 1.2.2 钨和铜合金成形技术 | 第13-14页 |
| 1.3 CuCrZr合金介绍 | 第14-15页 |
| 1.4 研究目的及意义 | 第15-16页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 模拟方法与实验方案 | 第17-26页 |
| 2.1 SRIM-2013程序模拟方法的介绍 | 第17-18页 |
| 2.2 材料的选择与处理 | 第18页 |
| 2.3 磁控溅射镀膜系统装置介绍 | 第18-19页 |
| 2.4 磁控溅射制备W/CuCrZr合金 | 第19-20页 |
| 2.5 高密度直线等离子体装置介绍 | 第20-21页 |
| 2.6 CuCrZr合金及W/CuCrZr合金的辐照工艺 | 第21-22页 |
| 2.7 材料的结构与形貌表征 | 第22-25页 |
| 2.7.1 X射线衍射仪 | 第22-23页 |
| 2.7.2 扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
| 2.7.3 原子力显微镜 | 第24页 |
| 2.7.4 维氏硬度计 | 第24-25页 |
| 2.8 实验流程图 | 第25-26页 |
| 第三章 CuCrZr合金质子辐照效应的模拟研究 | 第26-35页 |
| 3.1 计算参数设置 | 第26页 |
| 3.2 位移损伤判据 | 第26-27页 |
| 3.3 阻止本领 | 第27-28页 |
| 3.4 能量损失 | 第28-29页 |
| 3.5 质子入射深度与分布 | 第29-31页 |
| 3.6 辐照损伤 | 第31-33页 |
| 3.7 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 直流磁控溅射制备钨薄膜 | 第35-50页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 溅射功率对钨薄膜的影响 | 第35-40页 |
| 4.2.1 功率对钨薄膜晶体结构的影响 | 第35-37页 |
| 4.2.2 功率对钨薄膜沉积速率的影响 | 第37-38页 |
| 4.2.3 功率对钨薄膜与基体间结合力的影响 | 第38-40页 |
| 4.3 溅射气压对钨薄膜的影响 | 第40-44页 |
| 4.3.1 溅射气压对钨薄膜晶体结构的影响 | 第40-41页 |
| 4.3.2 溅射气压对钨薄膜沉积速率的影响 | 第41-42页 |
| 4.3.3 溅射气压对钨薄膜与基体间结合力的影响 | 第42-44页 |
| 4.4 溅射时间对钨薄膜的影响 | 第44-47页 |
| 4.4.1 溅射时间对钨薄膜晶体结构的影响 | 第44-45页 |
| 4.4.2 溅射时间对钨薄膜沉积速率的影响 | 第45-46页 |
| 4.4.3 溅射时间对钨薄膜与基体间结合力的影响 | 第46-47页 |
| 4.5 钨膜的成分分析 | 第47-48页 |
| 4.6 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 辐照对CuCrZr合金及W/CuCrZr合金的影响 | 第50-58页 |
| 5.1 入射能量对材料微观组织和结构的影响 | 第50-52页 |
| 5.2 辐照剂量对材料微观组织和结构的影响 | 第52-55页 |
| 5.3 辐照对材料显微硬度的影响 | 第55-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第六章 总结 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 附录 | 第64-65页 |