| 摘要 | 第12-13页 |
| Abstract | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 CZTS材料概述 | 第15-20页 |
| 1.1.1 CZTS研究背景 | 第15-17页 |
| 1.1.2 CZTS的组成元素 | 第17页 |
| 1.1.3 CZTS的晶体结构 | 第17-18页 |
| 1.1.4 CZTS的光学性能 | 第18-19页 |
| 1.1.5 CZTS的缺陷与杂相 | 第19-20页 |
| 1.2 光电探测器概述 | 第20-23页 |
| 1.2.1 光电探测器研究背景 | 第20-21页 |
| 1.2.2 光电探测器工作原理 | 第21-22页 |
| 1.2.3 光电探测器的性能参数 | 第22-23页 |
| 1.3 论文的选题依据与研究内容 | 第23-25页 |
| 1.3.1 本文的选题依据 | 第23-24页 |
| 1.3.2 本文的研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 磁控溅射法制备CZTS薄膜材料 | 第25-58页 |
| 2.1 引言 | 第25-28页 |
| 2.1.1 顺序溅射堆叠预制层后硫化工艺 | 第26-27页 |
| 2.1.2 共溅射前躯体后硫化工艺 | 第27页 |
| 2.1.3 单靶磁控溅射后硫化工艺 | 第27-28页 |
| 2.1.4 硫化与硒化工艺 | 第28页 |
| 2.2 实验材料与设备 | 第28-30页 |
| 2.3 前躯体CZTS的制备与表征 | 第30-36页 |
| 2.3.1 前躯体CZTS的制备 | 第30-31页 |
| 2.3.2 CZTS前躯体薄膜的表征与分析 | 第31-36页 |
| 2.3.3 小结 | 第36页 |
| 2.4 CZTS薄膜的硫化 | 第36-45页 |
| 2.4.2 CZTS薄膜的硫化过程与方法 | 第36-37页 |
| 2.4.3 硫化后CZTS材料的表征与分析 | 第37-44页 |
| 2.4.4 小结 | 第44-45页 |
| 2.5 CZTS薄膜的硒化 | 第45-58页 |
| 2.5.1 CZTS薄膜的硒化过程与方法 | 第45-47页 |
| 2.5.2 硒量对硒化CZTS材料的影响分析 | 第47-52页 |
| 2.5.3 硒化温度的影响分析 | 第52-57页 |
| 2.5.4 小结 | 第57-58页 |
| 第三章 水基溶液法制备CZTS薄膜材料 | 第58-71页 |
| 3.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.2. 实验材料和设备 | 第59-60页 |
| 3.3 CZTS墨水的制备与方法 | 第60-61页 |
| 3.4 CZTS墨水合成机理分析 | 第61-63页 |
| 3.4.1 锡的金属硫化物Sn-MCC合成机理 | 第61-62页 |
| 3.4.2 CZTS纳米晶合成机理与设计思路 | 第62-63页 |
| 3.5 墨水的表征与分析 | 第63-67页 |
| 3.5.1 Sn-MCC的拉曼表征 | 第63-64页 |
| 3.5.2 墨水的尺寸表征 | 第64-65页 |
| 3.5.3 墨水的热重分析 | 第65-66页 |
| 3.5.4 傅里叶转换红外光谱分析 | 第66-67页 |
| 3.6 不同退火温度薄膜的表征与分析 | 第67-70页 |
| 3.6.1 材料的物相结构分析 | 第67-68页 |
| 3.6.2 材料的光学性能分析 | 第68页 |
| 3.6.3 材料的表面形貌分析 | 第68-70页 |
| 3.7 小结 | 第70-71页 |
| 第四章 CZTS/Si异质结光电探测器的制备与性能研究 | 第71-80页 |
| 4.1 前言 | 第71-72页 |
| 4.2 实验材料与设备 | 第72-73页 |
| 4.3 器件工作原理 | 第73页 |
| 4.4 器件的制备过程与方法 | 第73-74页 |
| 4.5 器件的性能表征与分析 | 第74-79页 |
| 4.5.1 可见光到近红外范围光电性能讨论 | 第74-76页 |
| 4.5.2 不同功率密度的I-V响应 | 第76-77页 |
| 4.5.3 不同类型器件的I-T响应 | 第77页 |
| 4.5.4 不同CZTS层厚度的I-T响应 | 第77-79页 |
| 4.6 小结 | 第79-80页 |
| 第五章 CZTS/石墨烯复合光电探测器制备与性能研究 | 第80-100页 |
| 5.1 前言 | 第80页 |
| 5.2 实验材料和设备 | 第80-82页 |
| 5.3 石墨烯薄膜的制备及其转移 | 第82-87页 |
| 5.3.1 CVD生长石墨烯机理 | 第82-83页 |
| 5.3.2 CVD生长石墨烯制备工艺 | 第83-85页 |
| 5.3.3 石墨烯转移工艺 | 第85-87页 |
| 5.4 石墨烯的表征 | 第87-90页 |
| 5.4.1 光学显微镜表征 | 第87页 |
| 5.4.2 拉曼光谱表征 | 第87-88页 |
| 5.4.3 紫外-可见光光谱表征 | 第88-89页 |
| 5.4.4 石墨烯的方阻表征 | 第89页 |
| 5.4.5 原子力显微镜表征 | 第89-90页 |
| 5.5 石墨烯场效应晶体管制备 | 第90-93页 |
| 5.5.1 制备流程与方法 | 第90页 |
| 5.5.2 源漏电极的制备 | 第90-92页 |
| 5.5.3 石墨烯的条带化 | 第92页 |
| 5.5.4 石墨烯场效应晶体管性能分析 | 第92-93页 |
| 5.6 CZTS/石墨烯复合光电探测器 | 第93-98页 |
| 5.6.1 器件结构 | 第93-94页 |
| 5.6.2 CZTS/石墨烯复合器件的工作机理分析 | 第94-96页 |
| 5.6.3 纯CZTS器件的光电响应测试 | 第96-97页 |
| 5.6.4 CZTS/石墨烯复合器件的响应测试 | 第97-98页 |
| 5.7 小结 | 第98-100页 |
| 第六章 总结 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 在学期间发表论文与参加会议情况 | 第113页 |
