| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 二维材料 | 第9-11页 |
| 1.2 二硫化铼的晶体结构、性质与应用 | 第11-17页 |
| 1.2.1 二硫化铼的晶体结构 | 第11-13页 |
| 1.2.2 二硫化铼的物理性质 | 第13-15页 |
| 1.2.3 二硫化铼的应用 | 第15-17页 |
| 1.3 二硫化铼的制备方法 | 第17-20页 |
| 1.3.1 物理气相沉积法 | 第18-19页 |
| 1.3.2 机械剥离法 | 第19页 |
| 1.3.3 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 1.4 二维材料异质结 | 第20-22页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第22-25页 |
| 第二章 化学气相沉积法制备高质量单层二硫化铼 | 第25-37页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 实验部分 | 第26-29页 |
| 2.2.1 实验药品 | 第26-27页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第27页 |
| 2.2.3 高质量单层ReS_2的制备 | 第27-28页 |
| 2.2.4 材料表征 | 第28页 |
| 2.2.5 器件制备和性能测试 | 第28-29页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第29-35页 |
| 2.3.1 形貌和结构表征 | 第29-34页 |
| 2.3.1.1不同制备条件下单层ReS_2 | 第29-31页 |
| 2.3.1.2 单层ReS_2的OM、SEM及AFM分析 | 第31-32页 |
| 2.3.1.3 单层ReS_2的Raman、PL光谱分析 | 第32-33页 |
| 2.3.1.4 单层ReS_2的TEM和XPS分析 | 第33-34页 |
| 2.3.2 单层ReS_2的电子传输性能分析 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 以石墨烯为电极的单层二硫化铼超薄场效应晶体管 | 第37-49页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 实验部分 | 第38-42页 |
| 3.2.1 实验药品 | 第38-39页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第39-40页 |
| 3.2.3 实验 | 第40-42页 |
| 3.2.3.1 石墨烯电极的制备 | 第40页 |
| 3.2.3.2 石墨烯与二硫化铼范德华异质结的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.3.3 器件制备与性能测试 | 第41-42页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第42-47页 |
| 3.3.1 ReS_2和graphene范德华异质结的Raman和PL分析 | 第42-46页 |
| 3.3.1.1 机械剥离单层ReS_2和单层graphene范德华异质结在SiO2-Si基底上的 | 第42页 |
| Raman和PL分析 | 第42-43页 |
| 3.3.1.2 不同位置上石墨烯G峰和2D峰变化分析 | 第43-45页 |
| 3.3.1.3 ReS_2和多层graphene范德华异质结Raman光谱分析 | 第45-46页 |
| 3.3.2 电子传输特性 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 CdS/ReS_2复合材料的制备及光电性能 | 第49-65页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 实验部分 | 第50-54页 |
| 4.2.1 实验药品 | 第50-51页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第51-52页 |
| 4.2.3 实验过程 | 第52-54页 |
| 4.2.3.1在云母片基底上合成单层ReS_2 | 第52页 |
| 4.2.3.2 CdS/ReS_2复合材料合成 | 第52-53页 |
| 4.2.3.3 材料表征 | 第53页 |
| 4.2.3.4 器件制备与电学测试 | 第53-54页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第54-63页 |
| 4.3.1 CdS/ReS_2复合材料的OM、AFM分析 | 第54页 |
| 4.3.2 CdS/ReS_2复合材料的TEM及EDS分析 | 第54-56页 |
| 4.3.3 CdS/ReS_2复合材料的Raman和PL分析 | 第56页 |
| 4.3.4 CdS/ReS_2复合材料的XPS分析 | 第56-58页 |
| 4.3.5 CdS/ReS_2复合材料光电器件性能 | 第58-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第81页 |
