| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 石墨烯概述 | 第8-11页 |
| 1.1.1 石墨烯的发现与研究进展 | 第8页 |
| 1.1.2 石墨烯的原子结构 | 第8-9页 |
| 1.1.3 石墨烯的性质 | 第9-11页 |
| 1.2 石墨烯光电探测器概述 | 第11-13页 |
| 1.2.1 石墨烯及其复合材料光电探测器的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 石墨烯光电探测器的应用前景 | 第13页 |
| 1.3 石墨烯光电探测器的工作原理 | 第13-15页 |
| 1.3.1 纯石墨烯光电探测器工作原理 | 第13-14页 |
| 1.3.2 复合结构光电探测器工作原理 | 第14-15页 |
| 1.4 石墨烯光电探测器的特性参数 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文研究目标与内容 | 第16-18页 |
| 1.5.1 论文的研究目标 | 第16页 |
| 1.5.2 论文研究内容与章节安排 | 第16-18页 |
| 第二章 石墨烯光电探测器的制备工艺与性能测试 | 第18-33页 |
| 2.1 石墨烯薄膜的转移与表征 | 第18-25页 |
| 2.1.1 实验所需材料与设备 | 第18-20页 |
| 2.1.2 石墨烯薄膜转移工艺研究 | 第20-21页 |
| 2.1.3 石墨烯薄膜的表征 | 第21-25页 |
| 2.2 背栅石墨烯场效应晶体管器件制备工艺研究 | 第25-28页 |
| 2.2.1 实验所需仪器设备 | 第25-26页 |
| 2.2.2 器件制备流程介绍 | 第26页 |
| 2.2.3 电极制备与石墨烯刻蚀工艺研究 | 第26-28页 |
| 2.3 石墨烯光电探测器的光电测试 | 第28-32页 |
| 2.3.1 实验设备 | 第28-29页 |
| 2.3.2 石墨烯光电探测器电阻特性研究 | 第29-30页 |
| 2.3.3 石墨烯光电探测器转移特性曲线研究 | 第30-32页 |
| 2.3.4 时间响应测试 | 第32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 硫化镉纳米颗粒/石墨烯复合光电探测器的制备与性能研究 | 第33-48页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验材料和设备 | 第33-34页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第33页 |
| 3.2.2 实验设备 | 第33-34页 |
| 3.3 硫化镉纳米颗粒/石墨烯复合探测器结构 | 第34-35页 |
| 3.4 硫化镉纳米颗粒制备原理及流程 | 第35-36页 |
| 3.4.1 实验原理 | 第35页 |
| 3.4.2 制备流程 | 第35-36页 |
| 3.5 硫化镉薄膜的形貌表征及光学测试 | 第36-41页 |
| 3.5.1 AFM形貌表征 | 第36-39页 |
| 3.5.2 SEM形貌表征 | 第39-40页 |
| 3.5.3 UV-Vis吸收光谱测试 | 第40-41页 |
| 3.6 硫化镉/石墨烯复合光电探测器光电测试 | 第41-47页 |
| 3.6.1 复合结构光电探测器工作原理 | 第41-42页 |
| 3.6.2 器件I-V特性测试 | 第42-44页 |
| 3.6.3 器件I-T特性测试 | 第44-47页 |
| 3.7 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 石墨烯与rGOQDs复合光电探测器的制备与研究 | 第48-55页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 rGOQDs的合成 | 第48-49页 |
| 4.3 rGOQDs的形貌表征及光学测试 | 第49-50页 |
| 4.3.1 rGOQDs的形貌表征 | 第49页 |
| 4.3.2 光学测试 | 第49-50页 |
| 4.4 rGOQDs/石墨烯薄膜复合光电探测器的结构 | 第50-51页 |
| 4.5 rGOQDs/石墨烯复合光电探测器光电测试及工作原理 | 第51-54页 |
| 4.5.1 rGOQDs/石墨烯复合光电探测器光电测试 | 第51-53页 |
| 4.5.2 复合结构光电探测器的工作原理 | 第53-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-56页 |
| 5.1 总结 | 第55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
