| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 专用术语注释表 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-44页 |
| 1.1 引言 | 第12-16页 |
| 1.1.1 有机电子学概述 | 第12-14页 |
| 1.1.2 有机存储器件 | 第14-16页 |
| 1.2 有机场效应晶体管 | 第16-25页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管的工作原理和器件结构 | 第17-18页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管的特征曲线和性能参数 | 第18-20页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管的材料 | 第20-25页 |
| 1.3 有机场效应晶体管存储器 | 第25-37页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管存储器的工作原理和性能参数 | 第25-28页 |
| 1.3.2 有机场效应晶体管存储器的分类和研究进展 | 第28-37页 |
| 1.4 有机场效应晶体管多阶存储器 | 第37-43页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第37-38页 |
| 1.4.2 研究现状及挑战 | 第38-41页 |
| 1.4.3 应用前景 | 第41-43页 |
| 1.5 本论文研究思路 | 第43-44页 |
| 第二章 基于叠层有机半导体异质结的有机场效应晶体管存储器 | 第44-57页 |
| 2.1 引言 | 第44-45页 |
| 2.2 实验部分 | 第45-46页 |
| 2.2.1 材料与器件制备 | 第45-46页 |
| 2.2.2 器件表征方法 | 第46页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第46-55页 |
| 2.3.1 三层有机异质结器件的器件性能 | 第46-48页 |
| 2.3.2 异质结结构对器件性能的影响 | 第48-51页 |
| 2.3.3 下层并五苯厚度对器件性能的影响 | 第51-54页 |
| 2.3.4 存储机制分析 | 第54-55页 |
| 2.3.5 多阶存储应用 | 第55页 |
| 2.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第三章 基于PMMA的有机场效应晶体管存储器的热稳定性研究 | 第57-71页 |
| 3.1 引言 | 第57-58页 |
| 3.2 实验部分 | 第58-59页 |
| 3.2.1 材料与器件制备 | 第58-59页 |
| 3.2.2 器件表征方法 | 第59页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第59-69页 |
| 3.3.1 室温下的器件性能 | 第59-60页 |
| 3.3.2 不同温度下的器件性能 | 第60-64页 |
| 3.3.3 温度效应机制研究 | 第64-68页 |
| 3.3.4 多阶存储及柔性器件 | 第68-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第四章 基于有机半导体纳米结构阵列调控的有机场效应晶体管存储器 | 第71-88页 |
| 4.1 引言 | 第71-72页 |
| 4.2 实验部分 | 第72-77页 |
| 4.2.1 实验材料 | 第72-73页 |
| 4.2.2 纳米结构阵列的制备与表征 | 第73-76页 |
| 4.2.3 器件制备 | 第76-77页 |
| 4.2.4 器件表征与分析方法 | 第77页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第77-87页 |
| 4.3.1 基于WG_3/TMP的晶体管性能 | 第77-79页 |
| 4.3.2 基于WG_3/TMP的存储器性能 | 第79-86页 |
| 4.3.3 存储机制研究 | 第86-87页 |
| 4.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第五章 基于944/PS混合聚合物电介体的有机场效应晶体管存储器 | 第88-99页 |
| 5.1 引言 | 第88-89页 |
| 5.2 实验部分 | 第89-90页 |
| 5.2.1 材料 | 第89页 |
| 5.2.2 器件制备 | 第89-90页 |
| 5.2.3 器件表征方法 | 第90页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第90-98页 |
| 5.3.1 混合比例对器件性能的影响 | 第90-95页 |
| 5.3.2 双极存储特性 | 第95-97页 |
| 5.3.3 多阶存储应用 | 第97-98页 |
| 5.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 第六章 基于相分离工艺的有机场效应晶体管存储器 | 第99-111页 |
| 6.1 引言 | 第99-100页 |
| 6.2 实验部分 | 第100-101页 |
| 6.2.1 实验材料 | 第100页 |
| 6.2.2 小分子/聚合物电介体共混物的制备 | 第100-101页 |
| 6.2.3 器件制备 | 第101页 |
| 6.2.4 器件表征方法 | 第101页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第101-110页 |
| 6.3.1 混合比例对器件性能的影响 | 第101-104页 |
| 6.3.2 底栅顶接触器件的存储性能研究 | 第104-105页 |
| 6.3.3 底栅底接触器件的存储性能研究 | 第105-107页 |
| 6.3.4 柔性器件的存储性能研究 | 第107-109页 |
| 6.3.5 C8-BTBT器件的存储性能研究 | 第109-110页 |
| 6.4 本章小结 | 第110-111页 |
| 第七章 总结与展望 | 第111-114页 |
| 7.1 论文总结 | 第111-112页 |
| 7.2 挑战和展望 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-125页 |
| 附录1 补充数据 | 第125-127页 |
| 附录2 攻读博士学位期间撰写的论文 | 第127-130页 |
| 附录3 攻读博士学位期间申请的专利 | 第130-131页 |
| 附录4 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第131-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
