基于钛氧化物的纳米存储阵列制备和机理研究
| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| ·课题的研究背景和意义 | 第11-13页 |
| ·新型纳米存储技术 | 第11-12页 |
| ·交叉门闩结构电阻开关器件 | 第12-13页 |
| ·国内外研究现状 | 第13-19页 |
| ·基于金属氧化物的电阻开关器件制备 | 第13页 |
| ·MIM结构的微观电导机制 | 第13-17页 |
| ·基于金属氧化物的电阻开关机制 | 第17-19页 |
| ·论文主要内容及结构安排 | 第19-20页 |
| ·论文的主要内容 | 第19页 |
| ·论文的主要结构 | 第19-20页 |
| 第二章 纳米存储阵列制备与表征 | 第20-32页 |
| ·LIFT-OFF工艺 | 第20-23页 |
| ·光刻胶技术 | 第20-22页 |
| ·沉积和剥离 | 第22-23页 |
| ·存储阵列的设计 | 第23-25页 |
| ·存储阵列的制备 | 第25-29页 |
| ·存储阵列参数 | 第25页 |
| ·器件制备 | 第25-29页 |
| ·TiO_2薄膜表征 | 第29-31页 |
| ·表面形貌 | 第29-30页 |
| ·TiO_2晶型 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 电阻开关单元的电学测试和特性分析 | 第32-46页 |
| ·电学性能表征手段 | 第32-34页 |
| ·电学特性分析 | 第34-45页 |
| ·电迁移特性 | 第34-35页 |
| ·Pt/TiO_2/Pt的电学特性分析 | 第35-41页 |
| ·Pt/TiO_2/Al的电学特性分析 | 第41-42页 |
| ·Au/TiO_2/Au的电学特性分析 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 双稳态特性的物理机理研究 | 第46-58页 |
| ·双稳态电阻开关特性 | 第46-54页 |
| ·中间层厚度对双稳态的影响 | 第46-48页 |
| ·氧浓度对双稳态特性的影响 | 第48-50页 |
| ·电极材料对双稳态的影响 | 第50-53页 |
| ·高阻态和低阻态电导特性 | 第53-54页 |
| ·双稳态电阻开关物理模型 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结束语 | 第58-60页 |
| ·全文工作总结 | 第58页 |
| ·未来工作展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第65页 |
