| 中文摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 有序介孔材料 | 第9-11页 |
| 1.1.1 有序介孔硅SBA-15 | 第9页 |
| 1.1.2 有序介孔碳CMK-3 | 第9-10页 |
| 1.1.3 氮掺杂的CMK-3 | 第10-11页 |
| 1.2 重金属离子 | 第11-13页 |
| 1.2.1 镉离子 | 第11页 |
| 1.2.2 锌离子 | 第11-12页 |
| 1.2.3 铜离子 | 第12-13页 |
| 1.3 伏安法 | 第13-14页 |
| 1.3.1 阳极溶出伏安法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 方波伏安法 | 第14页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第14-15页 |
| 1.5 参考文献 | 第15-21页 |
| 第二章 锡膜沉积、CMK-3修饰的碳糊电极作为环境友好型传感器用于检测痕量镉离子 | 第21-37页 |
| 2.1 前言 | 第21页 |
| 2.2 材料与方法 | 第21-22页 |
| 2.2.1 材料 | 第21-22页 |
| 2.2.2 仪器 | 第22页 |
| 2.2.3 实验过程 | 第22页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第22-30页 |
| 2.3.1 Sn/CMK-3/CPE检测镉离子的原理 | 第22页 |
| 2.3.2 在Sn/CMK-3/CPE上用方波溶出伏安法检测镉离子 | 第22-24页 |
| 2.3.3 CMK-3含量对镉离子峰电流的影响 | 第24页 |
| 2.3.4 Sn(Ⅱ)浓度对镉离子峰电流的影响 | 第24页 |
| 2.3.5 pH的影响 | 第24-25页 |
| 2.3.6 沉积电位的影响 | 第25-26页 |
| 2.3.7 沉积时间的影响 | 第26-27页 |
| 2.3.8 标准曲线和检测限 | 第27页 |
| 2.3.9 选择性 | 第27页 |
| 2.3.10 Sn/CMK-3/CPE的稳定性 | 第27-29页 |
| 2.3.11 CMK-3/CPE和CMK-3的透射电子显微镜图 | 第29页 |
| 2.3.12 分析应用 | 第29-30页 |
| 2.4 结论 | 第30页 |
| 2.5 参考文献 | 第30-37页 |
| 第三章 锡膜沉积、SBA-15修饰的碳糊电极用于锌离子的检测 | 第37-51页 |
| 3.1 前言 | 第37-38页 |
| 3.2 材料与方法 | 第38-39页 |
| 3.2.1 材料 | 第38页 |
| 3.2.2 仪器 | 第38页 |
| 3.2.3 实验过程 | 第38-39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-45页 |
| 3.3.1 SBA-15的TEM图 | 第39页 |
| 3.3.2 在Sn/SBA-15/CPE上锌离子的方波溶出伏安电化学响应 | 第39-40页 |
| 3.3.3 pH对锌离子峰电流的影响 | 第40页 |
| 3.3.4 沉积电位的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.5 沉积时间的影响 | 第41页 |
| 3.3.6 SBA-15含量的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.7 Sn(Ⅱ)浓度的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.8 标准曲线和检测限 | 第43页 |
| 3.3.9 选择性 | 第43页 |
| 3.3.10 Sn/SBA-15/CPE的稳定性 | 第43-45页 |
| 3.3.11 分析应用 | 第45页 |
| 3.4 结论 | 第45-46页 |
| 3.5 参考文献 | 第46-51页 |
| 第四章 锡膜沉积、N掺杂的CMK-3修饰的碳糊电极用于检测痕量铜离子 | 第51-63页 |
| 4.1 前言 | 第51页 |
| 4.2 材料与方法 | 第51-53页 |
| 4.2.1 材料 | 第51-52页 |
| 4.2.2 仪器 | 第52页 |
| 4.2.3 实验过程 | 第52-53页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第53-59页 |
| 4.3.1 N-dopedCMK-3的TEM图 | 第53页 |
| 4.3.2 在Sn/N-dopedCMK-3/CPE上Cu(Ⅱ)的方波溶出伏安信号 | 第53-54页 |
| 4.3.3 氮掺杂的CMK-3对Cu(Ⅱ)峰电流的影响 | 第54页 |
| 4.3.4 Sn(Ⅱ)浓度对Cu(Ⅱ)峰电流的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.5 沉积电位的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.6 沉积时间的影响 | 第56-57页 |
| 4.3.7 pH的影响 | 第57页 |
| 4.3.8 标准曲线和检测限 | 第57页 |
| 4.3.9 选择性 | 第57-58页 |
| 4.3.10 Sn/N-dopedCMK-3/CPE的稳定性 | 第58-59页 |
| 4.3.11 分析应用 | 第59页 |
| 4.4 结论 | 第59-60页 |
| 4.5 参考文献 | 第60-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-64页 |
| 5.1 论文总结 | 第63页 |
| 5.2 展望 | 第63-64页 |
| 作者部分相关论文题录 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
