摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第1章 绪论 | 第10-28页 |
·氢等离子体的研究 | 第10-11页 |
·氢等离子体产生方式 | 第11-13页 |
·直流放电 | 第11页 |
·射频放电 | 第11-12页 |
·微波放电 | 第12-13页 |
·氢等离子体内部特性的表征 | 第13-18页 |
·探针法 | 第13-14页 |
·光谱法 | 第14-17页 |
·质谱法 | 第17-18页 |
·发射光谱分析在氢等离子体诊断技术中的应用 | 第18-25页 |
·根据谱线的相对强度计算电子激发温度Texc | 第19-20页 |
·根据谱线的Doppler 展宽计算离子温度Ti | 第20-23页 |
·根据斯塔克展宽计算电子密度ne 和外电场强度E | 第23-25页 |
·本工作的目的和意义 | 第25-28页 |
第2章 实验装置与实验方法 | 第28-34页 |
·高气压微波氢等离子体发射光谱诊断实验装置与方法 | 第28-31页 |
·高气压微波氢等离子体发射光谱诊断实验装置 | 第28-30页 |
·高气压微波氢等离子体发射光谱诊断实验方法 | 第30-31页 |
·常压微波氢等离子体射流处理SiC1_4 光谱诊断实验装置与方法 | 第31-34页 |
·常压微波氢等离子体射流处理SiC1_4 光谱诊断实验装置 | 第31-33页 |
·常压微波氢等离子体射流处理SiC1_4 光谱诊断实验方法 | 第33-34页 |
第3章 高气压微波氢等离子体发射光谱测量 | 第34-42页 |
·引言 | 第34页 |
·氢原子的Balmer 线系发射光谱诊断 | 第34-35页 |
·Hα、Hβ、Hγ相对强度随宏观放电参量的变化分析 | 第35-37页 |
·发射光谱法测量电子激发温度的研究 | 第37-39页 |
·本章小结 | 第39-42页 |
第4章 发射光谱展宽法对CVD 中氢等离子体参数检测研究 | 第42-54页 |
·引言 | 第42页 |
·Hα、Hβ、Hγ谱线的线型及线宽研究 | 第42-45页 |
·洛伦兹线型(Lorentzian Profile) | 第43页 |
·高斯线型(Gaussian Profile) | 第43页 |
·佛克脱线型(Voigt Profile ) | 第43-45页 |
·CVD 中氢等离子体参数Stark 展宽法诊断 | 第45-51页 |
·Stark 展宽法测量微波氢等离子体CVD 中的电子密度 | 第46-49页 |
·Stark 展宽法测量微波氢等离子体CVD 中的电场强度 | 第49-51页 |
·Doppler 展宽法测量离子温度的研究 | 第51-53页 |
·本章小结 | 第53-54页 |
第5章 常压微波氢等离子体射流处理SiC1_4发射光谱诊断 | 第54-62页 |
·引言 | 第54页 |
·H_2/SiC1_4 混合气体发电等离子体中基团识别 | 第54-57页 |
·等离子体射流中碰撞激发过程分析 | 第57-59页 |
·激发态氢原子的空间分布 | 第59-60页 |
·本章小结 | 第60-62页 |
第6章 论文总结与展望 | 第62-66页 |
·论文总结 | 第62-63页 |
·展望 | 第63-66页 |
参考文献 | 第66-74页 |
硕士期间发表的与课题相关的论文和专利 | 第74-76页 |
致谢 | 第76页 |