| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-29页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 硅纳米线的性质及应用 | 第9-13页 |
| 1.2.1 硅纳米线的特性 | 第9-12页 |
| 1.2.2 硅纳米线的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 硅纳米线的生长机理 | 第13-19页 |
| 1.3.1 VLS生长机理 | 第14-16页 |
| 1.3.2 SLS生长机理 | 第16-18页 |
| 1.3.3 OAG机理 | 第18-19页 |
| 1.4 硅纳米线的制备方法——按硅源分类 | 第19-25页 |
| 1.4.1 硅粉及金属制成的硅靶 | 第20页 |
| 1.4.2 含氧硅化物 | 第20-21页 |
| 1.4.3 单晶硅片 | 第21-22页 |
| 1.4.4 气态硅化物 | 第22-24页 |
| 1.4.5 硅源小结 | 第24-25页 |
| 1.5 硅纳米线的表征方法 | 第25-27页 |
| 1.5.1 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 1.5.2 能谱分析仪 | 第26页 |
| 1.5.3 透射电子显微镜 | 第26页 |
| 1.5.4 X-射线衍射仪 | 第26页 |
| 1.5.5 拉曼光谱仪 | 第26-27页 |
| 1.5.6 红外光谱仪 | 第27页 |
| 1.6 本论文的研究意义及主要内容 | 第27-29页 |
| 1.6.1 研究意义 | 第27-28页 |
| 1.6.2 主要内容 | 第28-29页 |
| 第二章 SiCl_4体系制备硅纳米线 | 第29-41页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-34页 |
| 2.2.1 实验仪器、设备及试剂 | 第29-30页 |
| 2.2.2 实验装置 | 第30-31页 |
| 2.2.3 实验方案与步骤 | 第31-33页 |
| 2.2.4 样品检测及表征 | 第33-34页 |
| 2.3 结果及讨论 | 第34-39页 |
| 2.3.1 硅纳米线制备体系净化程度结果分析 | 第34-35页 |
| 2.3.2 SiCl_4制备硅纳米线SEM结果分析 | 第35-37页 |
| 2.3.3 SiCl_4制备硅纳米线EDS结果分析 | 第37页 |
| 2.3.4 SiCl_4制备硅纳米线XRD结果分析 | 第37-38页 |
| 2.3.5 SiCl_4制备硅纳米线Raman结果分析 | 第38-39页 |
| 2.4 小结 | 第39-41页 |
| 第三章 3N SiF_4体系制备硅纳米线 | 第41-61页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 实验部分 | 第41-48页 |
| 3.2.1 实验仪器、设备及试剂 | 第41-42页 |
| 3.2.2 实验装置 | 第42-43页 |
| 3.2.3 实验方案及步骤 | 第43-48页 |
| 3.2.4 样品检测及表征 | 第48页 |
| 3.3 结果及讨论 | 第48-59页 |
| 3.3.1 H_2SiF_6制备SiF_4结果分析 | 第48-49页 |
| 3.3.2 SiF_4制备硅纳米线生长机理与性能结果分析 | 第49-53页 |
| 3.3.3 退火时间对催化剂液滴及硅纳米线生长的影响 | 第53-56页 |
| 3.3.4 载气流量对硅纳米线生长的影响 | 第56-57页 |
| 3.3.5 反应温度对硅纳米线生长的影响 | 第57-58页 |
| 3.3.6 反应时间对硅纳米线生长的影响 | 第58-59页 |
| 3.4 小结 | 第59-61页 |
| 第四章 5N SiF_4体系制备硅纳米线 | 第61-67页 |
| 4.1 引言 | 第61页 |
| 4.2 实验部分 | 第61-63页 |
| 4.2.1 实验仪器、设备及试剂 | 第61-62页 |
| 4.2.2 实验装置 | 第62页 |
| 4.2.3 实验方案及步骤 | 第62-63页 |
| 4.2.4 样品检测及表征 | 第63页 |
| 4.3 结果及讨论 | 第63-66页 |
| 4.3.1 5N SiF_4制备硅纳米线结果分析 | 第63-65页 |
| 4.3.2 SiF_4制备硅纳米线生长机理 | 第65-66页 |
| 4.4 小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论和展望 | 第67-69页 |
| 5.1 结论 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 附录 | 第75-76页 |
| 图版 | 第76-78页 |
