二元无机电子化合物的逆向材料设计
论文提要 | 第5-7页 |
详细摘要 | 第7-11页 |
abstract | 第11-14页 |
第一章 绪论 | 第17-27页 |
1.1 功能材料设计的意义与发展现状 | 第17-18页 |
1.2 逆向设计 | 第18-20页 |
1.3 新型功能材料——电子化合物 | 第20-22页 |
1.4 高压技术在材料科学中的应用 | 第22-24页 |
1.5 本文选题的目的及意义 | 第24-27页 |
第二章 理论基础 | 第27-45页 |
2.1 绝热近似 | 第27-29页 |
2.2 孤立电子近似 | 第29-30页 |
2.3 密度泛函理论 | 第30-37页 |
2.3.1 Hohenberg-Kohn理论 | 第30-33页 |
2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第33-34页 |
2.3.3 交换关联能 | 第34-36页 |
2.3.4 自洽计算 | 第36-37页 |
2.4 第一性原理计算方法 | 第37-39页 |
2.4.1 线性变分法 | 第38页 |
2.4.2 赝势方法 | 第38-39页 |
2.5 CALYPSO结构预测 | 第39-42页 |
2.5.1 粒子群优化算法 | 第40页 |
2.5.2 CALYPSO预测软件 | 第40-42页 |
2.6 电子局域函数(ELF) | 第42-45页 |
第三章 无机电子化合物的逆向材料设计 | 第45-63页 |
3.1 逆向设计方法 | 第45-48页 |
3.1.1 定义功能函数 | 第45-47页 |
3.1.2 逆向设计流程 | 第47-48页 |
3.2 基准测试 | 第48-50页 |
3.3 逆向设计原则 | 第50-52页 |
3.4 设计结果与讨论 | 第52-59页 |
3.4.1 三维电子化合物 | 第54-56页 |
3.4.2 二维电子化合物 | 第56-58页 |
3.4.3 零维电子化合物 | 第58-59页 |
3.5 计算细节 | 第59-60页 |
3.6 本章小结 | 第60-63页 |
第四章 A_2N的高压金属-半导体转变研究 | 第63-75页 |
4.1 背景介绍 | 第63-64页 |
4.2 计算细节 | 第64-65页 |
4.3 结果与讨论 | 第65-74页 |
4.3.1 A_2N高压晶体结构预测 | 第65-69页 |
4.3.2 模拟XRD与实验数据对比 | 第69-70页 |
4.3.3 高压结构的电子性质计算 | 第70-72页 |
4.3.4 高压金属-半导体转变机制 | 第72-74页 |
4.4 本章小结 | 第74-75页 |
第五章 Y_2C的压致超导相变研究 | 第75-87页 |
5.1 背景介绍 | 第75-76页 |
5.2 计算细节 | 第76-77页 |
5.3 结果与讨论 | 第77-85页 |
5.3.1 Y_2C高压晶体结构预测 | 第77-79页 |
5.3.2 晶体结构的稳定性分析 | 第79-81页 |
5.3.3 高压结构的电子性质计算 | 第81-83页 |
5.3.4 超导性质计算和分析 | 第83-85页 |
5.4 本章小结 | 第85-87页 |
第六章 总结与展望 | 第87-89页 |
参考文献 | 第89-105页 |
作者简介及科研成果 | 第105-106页 |
攻读研究生期间公开发表的学术论文 | 第106-109页 |
致谢 | 第109-110页 |