一种高压高瞬态功率器件的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 功率半导体器件的发展概述 | 第10-14页 |
| 1.2 MCT的发展历程 | 第14-16页 |
| 1.3 国内外MCT的发展现状及选题意义 | 第16-17页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 MOS控制晶闸管的结构及工作原理 | 第19-31页 |
| 2.1 晶闸管结构及特点 | 第19页 |
| 2.2 晶闸管阻断特性 | 第19-22页 |
| 2.3 晶闸管的导通特性 | 第22-23页 |
| 2.4 MOS控制晶闸管(MCT) | 第23-30页 |
| 2.4.1 MCT的结构 | 第23-24页 |
| 2.4.2 MOS控制晶闸管的静态特性 | 第24-29页 |
| 2.4.2.1 MOS控制晶闸管的正向阻断特性 | 第24-27页 |
| 2.4.2.2 MOS控制晶闸管的导通特性 | 第27-29页 |
| 2.4.3 MOS控制晶闸管的动态特性 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 一种高压高瞬态MCT的设计与实现 | 第31-55页 |
| 3.1 工艺流程选取 | 第31-33页 |
| 3.2 结终端设计 | 第33-39页 |
| 3.2.1 结终端设计原理 | 第33-36页 |
| 3.2.2 结终端设计优化 | 第36-39页 |
| 3.3 器件元胞优化设计 | 第39-51页 |
| 3.3.1 P阱区注入剂量与推结时间 | 第40-43页 |
| 3.3.2 JFET区注入剂量 | 第43-44页 |
| 3.3.3 N-well区注入剂量 | 第44-45页 |
| 3.3.4 缓冲层注入剂量及推结时间 | 第45-47页 |
| 3.3.5 P+阳极有效注入剂量 | 第47-48页 |
| 3.3.6 半元胞宽度WC和半栅极宽度WG | 第48-51页 |
| 3.4 器件脉冲放电回路参数 | 第51-52页 |
| 3.5 器件版图设计及封装选取 | 第52-54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 器件流片测试及分析 | 第55-60页 |
| 4.1 器件静态测试及分析 | 第56-58页 |
| 4.2 器件瞬态电流测试及分析 | 第58-59页 |
| 4.2.1 瞬态电流测试平台搭建 | 第58页 |
| 4.2.2 瞬态电流测试结果分析 | 第58-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第60页 |
| 5.2 下一步工作计划 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第67页 |
