摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6页 |
第一章 绪论 | 第10-17页 |
1.1 课题背景 | 第10页 |
1.2 发展动态 | 第10-15页 |
1.2.1 BJT建模发展动态 | 第10-12页 |
1.2.2 W波段InP HBT功率放大器发展动态 | 第12-15页 |
1.3 课题研究的目的与意义 | 第15页 |
1.4 本文主要内容 | 第15-17页 |
第二章 InP HBT特性与等效电路模型研究 | 第17-57页 |
2.1 InP DHBT器件特性 | 第17-22页 |
2.1.1 InP DHBT器件结构 | 第17-18页 |
2.1.2 InP DHBT工作机理 | 第18-20页 |
2.1.3 InP HBT高频性能 | 第20-21页 |
2.1.4 InP HBT器件研究的关键问题 | 第21-22页 |
2.2 InP DHBT小信号等效电路模型 | 第22-30页 |
2.2.1 在片校准与去嵌 | 第22-24页 |
2.2.1.1 在片校准 | 第22-23页 |
2.2.1.2 在片去嵌 | 第23-24页 |
2.2.2 InP DHBT小信号模型参数分析 | 第24-26页 |
2.2.3 InP DHBT小信号模型参数提取与优化 | 第26-30页 |
2.3 InP HBT非线性模型 | 第30-45页 |
2.3.1 双极型晶体管非线性模型简介 | 第31-33页 |
2.3.1.1 Gummel-Poon模型 | 第31-32页 |
2.3.1.2 基于Gummel-Poon改进的模型 | 第32页 |
2.3.1.3 UCSD模型 | 第32-33页 |
2.3.2 Agilent HBT非线性等效电路模型 | 第33-34页 |
2.3.3 Agilent HBT非线性等效电路模型的讨论与分析 | 第34-43页 |
2.3.4 InP HBT SDD模型的讨论与分析 | 第43-45页 |
2.4 基于Agilent HBT模型验证的W波段VCO设计 | 第45-56页 |
2.4.1 W波段VCO的设计 | 第45-51页 |
2.4.2 W波段VCO的测试 | 第51-56页 |
2.5 本章小结 | 第56-57页 |
第三章 MMIC功率放大器设计技术及关键问题分析 | 第57-67页 |
3.1 器件形式的选择和In P材料的优势 | 第57-58页 |
3.2 MMIC功率放大器工作点的选择 | 第58-60页 |
3.3 MMIC功率放大器的设计方法 | 第60-62页 |
3.3.1 小信号S参数设计法 | 第60-61页 |
3.3.2 大信号负载牵引设计法 | 第61-62页 |
3.4 MMIC功率放大器设计关键问题的研究 | 第62-66页 |
3.4.1 电路的稳定性分析 | 第62-65页 |
3.4.1.1 稳定性的判定 | 第63-64页 |
3.4.1.2 放大器绝对稳定条件 | 第64页 |
3.4.1.3 放大器的稳定措施 | 第64-65页 |
3.4.2 电流增益坍塌 | 第65-66页 |
3.5 本章小结 | 第66-67页 |
第四章W波段InP HBT单片功率放大器电路设计 | 第67-91页 |
4.1 MMIC功率放大器设计流程及目标 | 第67-68页 |
4.2 总体设计考虑与技术方案 | 第68-71页 |
4.2.1 静态工作点选择和偏置电路设计 | 第69-70页 |
4.2.2 增益级 | 第70页 |
4.2.3 负载牵引与源牵引 | 第70-71页 |
4.3 匹配电路的设计 | 第71-75页 |
4.3.1 输入匹配网络 | 第72页 |
4.3.2 级间匹配网络 | 第72-75页 |
4.3.2.1 第一级级间匹配 | 第72-73页 |
4.3.2.2 第二级级间匹配 | 第73-74页 |
4.3.2.3 第三级级间匹配 | 第74-75页 |
4.3.3 输出匹配网络 | 第75页 |
4.4 原理图级联仿真设计 | 第75-77页 |
4.5 版图设计与仿真验证 | 第77-80页 |
4.5.1 版图联合仿真 | 第77-79页 |
4.5.2 谐波平衡分析 | 第79-80页 |
4.6 功率放大器在片测试与分析 | 第80-90页 |
4.6.1 小信号S参数测试 | 第80-84页 |
4.6.2 输出功率测试 | 第84-90页 |
4.7 本章小结 | 第90-91页 |
第五章 结论 | 第91-93页 |
5.1 本文的主要贡献 | 第91页 |
5.2 下一步工作的展望 | 第91-93页 |
致谢 | 第93-94页 |
参考文献 | 第94-98页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第98-99页 |