纳米体系中的电声子相互作用研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第1章 引言 | 第7-13页 |
| ·纳米科技简介 | 第7-10页 |
| ·富勒烯 | 第8页 |
| ·碳纳米管 | 第8-9页 |
| ·单层石墨片 | 第9-10页 |
| ·热电子效应简介 | 第10-11页 |
| ·密度泛函理论 | 第11-12页 |
| ·本论文的结构 | 第12-13页 |
| 第2章 圆柱形纳米管中的热电子效应 | 第13-29页 |
| ·背景和研究方法 | 第13-14页 |
| ·三维电子和一维声子间能量转移速率的一般表达式 | 第14-18页 |
| ·圆柱形碳纳米管声子模型 | 第18-20页 |
| ·声子局域态密度 | 第20-23页 |
| ·扭转模式的态密度 | 第20-21页 |
| ·呼吸模式的态密度 | 第21-22页 |
| ·弯曲模式的态密度 | 第22-23页 |
| ·薄圆柱形碳纳米管中的电声子转移速率 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-29页 |
| 第3章 高温时表面原子振动对Cu膜电阻率的影响 | 第29-43页 |
| ·背景和研究方法 | 第29-30页 |
| ·DFT方法简介 | 第30-34页 |
| ·TB-LMTO的哈密顿量和KKR方程 | 第31-32页 |
| ·电极里和散射区的波函数求解 | 第32-34页 |
| ·界面电阻的计算公式 | 第34页 |
| ·原子热振动的结构 | 第34-36页 |
| ·块体Cu的计算结果 | 第36-38页 |
| ·Cu膜的电阻率 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 硅的迁移率 | 第43-57页 |
| ·背景和研究方法 | 第43-44页 |
| ·半导体的迁移率 | 第44-48页 |
| ·费米面和半导体 | 第44-46页 |
| ·迁移率的一般表达式 | 第46-48页 |
| ·不同晶格方向的硅的迁移率 | 第48-55页 |
| ·<001>方向的电阻率 | 第50-51页 |
| ·<001>方向的迁移率 | 第51-54页 |
| ·<110>方向的迁移率 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第5章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第67-68页 |
