| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 毫米波技术的应用领域 | 第9-10页 |
| 1.2.1 国防军事领域 | 第9-10页 |
| 1.2.2 民用产业化领域 | 第10页 |
| 1.3 毫米波信号产生技术的发展史、研究现状以及研究热点 | 第10-12页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 振荡器相关理论知识介绍 | 第14-36页 |
| 2.1 振荡器相关基础 | 第14-22页 |
| 2.1.1 CMOS振荡器 | 第14页 |
| 2.1.2 振荡器的基本工作原理 | 第14-16页 |
| 2.1.3 振荡器分类 | 第16-19页 |
| 2.1.4 单端能量负阻补偿模型 | 第19-22页 |
| 2.2 相位噪声 | 第22-30页 |
| 2.2.1 相位噪声的概念 | 第22-24页 |
| 2.2.2 线性时不变系统分析 | 第24-26页 |
| 2.2.3 非线性时不变系统分析 | 第26-27页 |
| 2.2.4 线性时变系统分析 | 第27-30页 |
| 2.3 毫米波电路阻抗匹配的重要性及方法介绍 | 第30-32页 |
| 2.3.1 信号源阻抗匹配 | 第31页 |
| 2.3.2 共轭匹配 | 第31页 |
| 2.3.3 负载阻抗匹配 | 第31-32页 |
| 2.4 最大振荡频率与特征频率 | 第32-36页 |
| 第三章 毫米波频率选择负阻增强振荡器设计 | 第36-63页 |
| 3.1 CMOS毫米波振荡器的频率提升机制 | 第36-39页 |
| 3.1.1 Push-Push结构 | 第36-37页 |
| 3.1.2 线性叠加振荡器原理 | 第37-39页 |
| 3.2 频率选择负阻增强结构(FSNR)振荡器 | 第39-45页 |
| 3.2.1 频率选择负阻增强结构 | 第39-42页 |
| 3.2.2 带有FSNR结构的CMOS毫米波振荡器 | 第42-44页 |
| 3.2.3 设计要素 | 第44-45页 |
| 3.3 TSMC65nm工艺下的仿真结果及分析 | 第45-63页 |
| 3.3.1 仿真验证FSNR振荡器性能 | 第46-50页 |
| 3.3.2 不同类型MOSFET对FSNR振荡器性能的影响 | 第50-52页 |
| 3.3.3 不同类型电感对FSNR振荡器性能的影响 | 第52-58页 |
| 3.3.4 电源电压对FSNR振荡器谐性能的影响 | 第58-61页 |
| 3.3.5 仿真结果总结及分析 | 第61-63页 |
| 第四章 版图绘制与后仿真 | 第63-67页 |
| 4.1 版图的设计与优化 | 第63-65页 |
| 4.2 电路后仿真结果与分析 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
