| 中文摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 TFT 器件的研究进展及应用 | 第10-13页 |
| 1.3 本论文的选题意义及研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 TFT 器件的工作原理和制备方法及其在复合 CMOS 反相器中的应用 | 第15-32页 |
| 2.1 TFT 器件 | 第15-20页 |
| 2.1.1 TFT 的工作原理 | 第15-18页 |
| 2.1.2 氧化物 TFT 的导电机理 | 第18-19页 |
| 2.1.3 有机物 TFT 的导电机理 | 第19-20页 |
| 2.2 TFT 器件的基本参数 | 第20-23页 |
| 2.2.1 阈值电压 | 第21页 |
| 2.2.2 场效应迁移率 | 第21-22页 |
| 2.2.3 电流开关比 | 第22-23页 |
| 2.2.4 亚阈值摆幅 | 第23页 |
| 2.3 复合 CMOS 反相器 | 第23-26页 |
| 2.3.1 复合 CMOS 反相器的工作原理 | 第23-24页 |
| 2.3.2 复合 CMOS 反相器的特性参数 | 第24-25页 |
| 2.3.3 复合 CMOS 反相器的优点 | 第25-26页 |
| 2.4 IGZO 和有机半导体薄膜的制备方法简介 | 第26-32页 |
| 2.4.1 磁控溅射法 | 第26-28页 |
| 2.4.2 真空蒸镀法 | 第28-31页 |
| 2.4.3 溶液法 | 第31页 |
| 2.4.4 其他薄膜制备方法 | 第31-32页 |
| 第三章 TFT 器件和复合 CMOS 反相器的制备与特性表征方法 | 第32-48页 |
| 3.1 实验流程图 | 第32页 |
| 3.2 器件制备的准备工作 | 第32-39页 |
| 3.2.1 器件结构的选择 | 第32-34页 |
| 3.2.2 绝缘栅材料的选择 | 第34-35页 |
| 3.2.3 电极材料的选择 | 第35-37页 |
| 3.2.4 IGZO 薄膜和有机薄膜生长条件的研究 | 第37-39页 |
| 3.3 TFT 器件和复合 CMOS 反相器的制备 | 第39-42页 |
| 3.4 器件特性的表征 | 第42-48页 |
| 3.4.1 X 射线衍射（XRD） | 第42-43页 |
| 3.4.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第43-44页 |
| 3.4.3 原子力显微镜（AFM） | 第44-45页 |
| 3.4.4 紫外可见分光光度计 | 第45-46页 |
| 3.4.5 半导体特性测试仪 | 第46-48页 |
| 第四章 结果讨论与分析 | 第48-57页 |
| 4.1 IGZO 薄膜和有机薄膜的表征 | 第48-53页 |
| 4.2 IGZO TFT 和 OTFT 的电学特性分析 | 第53-54页 |
| 4.3 复合 CMOS 反相器特性分析并与计算结果做对比 | 第54-57页 |
| 第五章 结论与未来展望 | 第57-59页 |
| 5.1 结论 | 第57页 |
| 5.2 未来展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
