| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·研究背景及意义 | 第11-15页 |
| ·多晶硅应用和发展现状 | 第11-13页 |
| ·pn 型太阳能电池结构与原理 | 第13页 |
| ·多晶硅制备工艺 | 第13-15页 |
| ·多晶硅生产中副产品的危害 | 第15页 |
| ·四氯化硅的性质 | 第15-16页 |
| ·四氯化硅的物理性质 | 第15页 |
| ·四氯化硅化学性质 | 第15-16页 |
| ·SiCl_4 废液处理现状及其进展 | 第16-24页 |
| ·用SiCl_4 气相法生产白炭黑 | 第16-17页 |
| ·利用SiCl_4 生产三氯硅烷 | 第17-18页 |
| ·锌还原SiCl_4 | 第18-20页 |
| ·SiCl_4/H2 混合气体的PECVD 法沉积薄膜 | 第20-22页 |
| ·SiCl_4 作为生产特种有机硅单体的原料 | 第22-23页 |
| ·电化学还原SiCl_4 | 第23-24页 |
| ·本文研究内容和目标 | 第24-27页 |
| 第二章 四氯化硅的电化学还原和电沉积原理 | 第27-37页 |
| ·电解体系 | 第27-33页 |
| ·物质传输的类型 | 第27-29页 |
| ·电解质溶液 | 第29-31页 |
| ·电极及其作用 | 第31-33页 |
| ·循环伏安 | 第33-35页 |
| ·可逆和非可逆 | 第33页 |
| ·非可逆体系循环伏安法 | 第33-35页 |
| ·电化学沉积 | 第35-37页 |
| 第三章 实验部分 | 第37-41页 |
| ·实验原材料和仪器设备 | 第37-38页 |
| ·实验原材料 | 第37页 |
| ·实验仪器设备 | 第37-38页 |
| ·实验过程及结构和形貌表征 | 第38-41页 |
| ·实验过程 | 第38-39页 |
| ·结构和形貌表征手段 | 第39-41页 |
| 第四章 SiCl_4在有机溶剂中的循环伏安曲线 | 第41-55页 |
| ·304 钢的循环伏安曲线 | 第41-44页 |
| ·钛镍铌为工作电极的循环伏安曲线 | 第44-46页 |
| ·没有SiCl_4 的钛镍铌为工作电极循环伏安曲线 | 第44页 |
| ·扫描速度对还原峰电流的影响 | 第44-46页 |
| ·镍为工作电极的循环伏安曲线 | 第46-53页 |
| ·没有SiCl_4 的镍为工作电极的循环伏安曲线 | 第46-47页 |
| ·没有干燥的四丁基氯化铵的循环伏安曲线 | 第47-48页 |
| ·浓度对还原峰电流的影响 | 第48-49页 |
| ·Pt 作为参比电极的循环伏安曲线 | 第49-51页 |
| ·扫描速度对还原峰电位的影响 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 恒电位沉积硅的表征 | 第55-65页 |
| ·实验 | 第55页 |
| ·硅在镍基体上电化学沉积结果与讨论 | 第55-59页 |
| ·微观形貌与成分分析 | 第55-56页 |
| ·电沉积物元素沿深度分布 | 第56-59页 |
| ·硅在钛镍铌基体上电化学沉积结果与讨论 | 第59-64页 |
| ·微观形貌与成分分析 | 第59-62页 |
| ·电沉积物元素沿深度分布 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第71页 |