大功率开关电源关键EMC器件的高频建模研究
| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 EMC元件的建模研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1 电感线圈研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 IGBT建模研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 多线并绕电感线圈高频电路建模 | 第18-31页 |
| 2.1 多线并绕电感线圈的等效电路模型 | 第18-20页 |
| 2.2 多线并绕电感线圈电磁参数的计算方法 | 第20-28页 |
| 2.2.1 电感值的计算方法 | 第20-21页 |
| 2.2.2 漏感值的计算方法 | 第21-23页 |
| 2.2.3 分布电容的计算方法 | 第23-27页 |
| 2.2.4 饱和度分析 | 第27-28页 |
| 2.3 电感线圈损耗计算方法 | 第28-30页 |
| 2.3.1 磁芯损耗 | 第28-29页 |
| 2.3.2 绕组损耗 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 多线并绕电感线圈电磁参数的实验分析 | 第31-39页 |
| 3.1 多线并绕线圈电磁参数的仿真分析 | 第31-33页 |
| 3.2 多线并绕线圈电磁参数的实验测试 | 第33-37页 |
| 3.3 饱和度分析和损耗估算 | 第37-38页 |
| 3.3.1 饱和度分析 | 第37-38页 |
| 3.3.2 损耗估算 | 第38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 IGBT电学行为建模 | 第39-50页 |
| 4.1 IGBT在电力电子设备中的应用 | 第39页 |
| 4.2 IGBT工作原理 | 第39-45页 |
| 4.2.1 IGBT基本结构 | 第39-41页 |
| 4.2.2 IGBT基本特性 | 第41-45页 |
| 4.3 IGBT电学行为模型 | 第45-47页 |
| 4.4 IGBT软件建模方法 | 第47-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 IGBT动态特性分析 | 第50-61页 |
| 5.1 双脉冲实验的意义 | 第50-51页 |
| 5.2 双脉冲实验原理 | 第51页 |
| 5.3 双脉冲实验测试 | 第51-55页 |
| 5.3.1 平台搭建 | 第51-54页 |
| 5.3.2 实验测试 | 第54-55页 |
| 5.4 双脉冲仿真分析 | 第55-57页 |
| 5.5 IGBT模型参数校正 | 第57-60页 |
| 5.5.1 202V~10A模型校正 | 第57-58页 |
| 5.5.2 其他两种工况模型校正 | 第58-60页 |
| 5.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 总结与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第67页 |
