| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-43页 |
| ·纳米硅基发光材料 | 第15-16页 |
| ·纳米硅基材料的多孔特性 | 第16页 |
| ·纳米硅基材料的发光特性 | 第16-18页 |
| ·光致发光(Photoluminescence,PL) | 第16-17页 |
| ·电致发光(Electroluminescence,EL) | 第17页 |
| ·阴极射线发光(Cathodeluminescence,CL) | 第17-18页 |
| ·多孔纳米硅基薄膜发光分类 | 第18-26页 |
| ·量子点发光 | 第18-21页 |
| ·硅的氧或氮化物发光 | 第21-23页 |
| ·镶嵌在SiO2中的硅的纳米颗粒发光 | 第23-24页 |
| ·缺陷态发光 | 第24页 |
| ·和OH有关的发光 | 第24-25页 |
| ·和H有关的发光 | 第25-26页 |
| ·掺杂发光 | 第26页 |
| ·纳米硅基发光薄膜的制备 | 第26-29页 |
| ·电化学刻蚀法 | 第26-27页 |
| ·光化学腐蚀法 | 第27页 |
| ·水热腐蚀法 | 第27-28页 |
| ·等离子体化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,PECVD) | 第28-29页 |
| ·等离子体在薄膜制备方面的应用 | 第29-32页 |
| ·低温等离子体用处材料制备和处理的基本过程 | 第29-30页 |
| ·常压低温常压等离子体的应用 | 第30-32页 |
| ·PECVD制备纳米硅基发光材料 | 第32-33页 |
| ·论文的研究内容及意义 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-43页 |
| 第二章 Si/SiO_x纳米发光薄膜的制备与表征 | 第43-56页 |
| ·薄膜制备 | 第43-45页 |
| ·实验装置 | 第43-45页 |
| ·实验前准备和实验过程 | 第45页 |
| ·薄膜性质的表征 | 第45-54页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第45-48页 |
| ·薄膜结构和组分的表征 | 第48-52页 |
| ·表面形貌表征 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第三章 等离子体放电过程的研究 | 第56-79页 |
| ·高频DBD放电参数的测量与分析 | 第56-61页 |
| ·不同气氛下放电形貌的比较 | 第57页 |
| ·不同电极下电流电压曲线的比较 | 第57-61页 |
| ·RF射流放电参数的测量与分析 | 第61-67页 |
| ·RF射流技术的发展及其特点 | 第61-64页 |
| ·不同气氛下放电形貌的比较 | 第64-65页 |
| ·功率对电流电压曲线的影响 | 第65-67页 |
| ·发射光谱的研究 | 第67-73页 |
| ·高频DBD放电发射光谱 | 第68-69页 |
| ·RF射流放电发射光谱 | 第69-73页 |
| ·电子温度的计算 | 第73-75页 |
| ·结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第四章 等离子体放电过程的理论模拟 | 第79-89页 |
| ·等离子体放电的理论模拟 | 第79-81页 |
| ·高频DBD放电过程的模拟 | 第81-85页 |
| ·偏压对电场强度分布的影响 | 第82-83页 |
| ·偏压对电势分布的影响 | 第83-84页 |
| ·偏压对表面电荷密度的影响 | 第84-85页 |
| ·偏压对沉积过程的影响 | 第85-87页 |
| ·结论 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-89页 |
| 第五章 等离子体过程对Si/SiO_x纳米发光薄膜性质的影响 | 第89-118页 |
| ·高频DBD放电沉积Si/SiO_x纳米发光薄膜 | 第89-104页 |
| ·薄膜形貌的变化 | 第89-94页 |
| ·薄膜成分的变化 | 第94-99页 |
| ·沉积速率的变化 | 第99-101页 |
| ·薄膜孔隙率的变化 | 第101-103页 |
| ·薄膜结晶度的变化 | 第103-104页 |
| ·RF射流放电沉积Si/SiO_x纳米发光薄膜 | 第104-115页 |
| ·薄膜形貌的变化 | 第104-107页 |
| ·薄膜成分的变化 | 第107-113页 |
| ·薄膜结晶度的变化 | 第113-115页 |
| ·结论 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-118页 |
| 第六章 Si/SiO_x纳米颗粒薄膜的发光特性 | 第118-132页 |
| ·引言 | 第118-119页 |
| ·荧光光谱的研究 | 第119-126页 |
| ·高频DBD放电下偏压场对荧光光谱的影响 | 第120-124页 |
| ·高频DBD放电下退火对荧光光谱的影响 | 第124-125页 |
| ·射流放电时功率对荧光光谱的影响 | 第125-126页 |
| ·阴极射线谱的研究 | 第126-129页 |
| ·偏压占空比对CL的影响 | 第128-129页 |
| ·结论 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-132页 |
| 第七章 Si/SiO_x纳米颗粒薄膜发光机理研究 | 第132-144页 |
| ·现有的发光机理 | 第132-137页 |
| ·量子限域模型(Quantum Confinement effect,QC) | 第133-135页 |
| ·表面态模型(Surface State Model,SS) | 第135-136页 |
| ·量子限制/发光中心模型(Quantum Confinement/LuminescenceCenters,QCLC) | 第136页 |
| ·氢化非晶硅模型 | 第136-137页 |
| ·表面氢化物发光 | 第137页 |
| ·缺陷发光 | 第137页 |
| ·本论文样品的发光机理 | 第137-141页 |
| ·370nm发光峰的发光机理 | 第138-140页 |
| ·432nm发光峰的发光机理 | 第140页 |
| ·550nm发光峰的发光机理 | 第140-141页 |
| ·阴极射线发光峰的发光机理 | 第141页 |
| ·结论 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-144页 |
| 第八章 总结与展望 | 第144-147页 |
| ·对现有工作的总结 | 第144-145页 |
| ·对以后工作的展望 | 第145-146页 |
| ·本论文创新点说明 | 第146-147页 |
| 博士期间发表的论文 | 第147-149页 |
| 致谢 | 第149-150页 |
