| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-34页 |
| ·纳米材料及其性质 | 第12-14页 |
| ·纳米材料及其分类 | 第12-13页 |
| ·纳米材料的性质 | 第13-14页 |
| ·一维纳米材料 | 第14页 |
| ·一维异质结纳米材料 | 第14-16页 |
| ·异质结 | 第14-15页 |
| ·一维异质结纳米材料 | 第15-16页 |
| ·II-VI/IV族异质结简要综述 | 第16-32页 |
| ·II-VI/IV族异质结的合成方法 | 第17-23页 |
| ·II-VI/IV族异质结的光学性能 | 第23-28页 |
| ·II-VI/IV族异质结的应用 | 第28-32页 |
| ·本文的选题背景、研究内容及意义 | 第32-34页 |
| 第2章 Ge纳米颗粒修饰ZnSe/GeSe等级异质结纳米线的合成及表征 | 第34-44页 |
| ·本章概述 | 第34-35页 |
| ·实验步骤及表征手段 | 第35-36页 |
| ·实验设备 | 第35页 |
| ·实验步骤 | 第35-36页 |
| ·表征手段 | 第36页 |
| ·实验结果与讨沦 | 第36-43页 |
| ·样品的物相分析 | 第36-37页 |
| ·样品的形貌分析 | 第37-38页 |
| ·样品的结构分析 | 第38-41页 |
| ·样品可能的生长机理 | 第41-42页 |
| ·样品的室温拉曼潜 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 ZnSe辅助生长Ge/GeSe并轴异质结纳米线及ZnSe/Ge核-壳纳米线的制备和表征 | 第44-57页 |
| ·本章概述 | 第44页 |
| ·实验步骤及表征手段 | 第44-45页 |
| ·实验设备 | 第44-45页 |
| ·实验过程 | 第45页 |
| ·表征手段 | 第45页 |
| ·样品1的实验结果与讨论 | 第45-50页 |
| ·样品1的物相分析 | 第45-46页 |
| ·样品1的形貌分析 | 第46-47页 |
| ·样品1的结构分析 | 第47-49页 |
| ·样品1可能的生长机理 | 第49页 |
| ·样品1的室温拉曼谱 | 第49-50页 |
| ·样品2的实验结果及表征分析 | 第50-55页 |
| ·样品2的物相分析 | 第50-51页 |
| ·样品2的形貌分析 | 第51-52页 |
| ·样品2的结构分析 | 第52-55页 |
| ·样品2的生长机理 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第4章 CdS/SiO_2核-壳结构纳米线的合成及表征 | 第57-64页 |
| ·本章概述 | 第57页 |
| ·实验过程及表征手段 | 第57-58页 |
| ·实验设备与实验过程 | 第57-58页 |
| ·表征手段 | 第58页 |
| ·实验结果表征分析 | 第58-63页 |
| ·样品的物相分析 | 第58-59页 |
| ·样品的形貌分析 | 第59页 |
| ·样品的结构分析 | 第59-60页 |
| ·样品的生长机理 | 第60-62页 |
| ·样品的室温拉曼谱 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 总结和展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-79页 |
| 硕士期间发表及投稿文章和申请专利目录 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
