| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 参考文献 | 第12-14页 |
| 第二章 实验设备及技术 | 第14-28页 |
| 2.1 超高真空分子束外延生长 | 第14-17页 |
| 2.2 基于光学曝光的微加工技术 | 第17-20页 |
| 2.3 基于物理性质测量系统(PPMS)的电输运测量 | 第20-24页 |
| 2.4 基于磁性性质测量系统(MPMS)的磁化强度测量 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第三章 Ni的内禀和外禀反常霍尔效应及其温度依赖 | 第28-48页 |
| 3.1 前言 | 第28-30页 |
| 3.2 实验 | 第30-33页 |
| 3.2.1 面心立方单晶Ni薄膜的制备 | 第30-31页 |
| 3.2.2 电输运性质的测量 | 第31-33页 |
| 3.3 结果与分析 | 第33-44页 |
| 3.3.1 Ni中反常霍尔电阻率和电阻率的幂律关系 | 第33-36页 |
| 3.3.2 Ni的内禀和外禀反常霍尔效应 | 第36-41页 |
| 3.3.3 自旋轨道耦合及内禀机制的温度依赖 | 第41-44页 |
| 3.4 主要结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第四章 无序低电导输运体系中的反常霍尔效应 | 第48-66页 |
| 4.1 前言 | 第48-51页 |
| 4.2 实验 | 第51-55页 |
| 4.2.1 垂直各向异性GaMnAS薄膜的制备 | 第51-53页 |
| 4.2.2 退火效应及退火窗口 | 第53-55页 |
| 4.3 Ga_(0.93)Mn_(0.07)As的反常霍尔效应 | 第55-60页 |
| 4.4 无序低电导区域的反常霍尔效应标度 | 第60-63页 |
| 4.5 主要结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第五章 纳米尺度自旋霍尔效应器件的制作 | 第66-74页 |
| 5.1 前言 | 第66-68页 |
| 5.2 纳米尺度Hall Bar微加工工艺 | 第68-72页 |
| 5.3 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 第六章 主要结论 | 第74-75页 |
| 发表文章 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
