| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 Wafer清洗线简介 | 第8-12页 |
| 1.1.1 Wafer清洗线的技术性能参数 | 第8页 |
| 1.1.2 工艺流程 | 第8-9页 |
| 1.1.3 设备功能说明 | 第9页 |
| 1.1.4 超声波清洗线原理 | 第9-11页 |
| 1.1.5 超声波清洗线的技术特点 | 第11-12页 |
| 1.2 wafer产品的应用及市场 | 第12-16页 |
| 1.2.1 DLP成像器件原理 | 第15-16页 |
| 1.2.2 我们的产品---数码窗口片 | 第16页 |
| 1.3 研究思路与工作安排 | 第16-17页 |
| 1.4 本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 超声波原理与运用介绍 | 第18-32页 |
| 2.1 声波传输与共振 | 第18-23页 |
| 2.2 不同形式的超声波 | 第23-26页 |
| 2.2.1 Continuous wave 连续波 | 第23页 |
| 2.2.2 Modulated wave调整波 | 第23页 |
| 2.2.3 Full sweep wave 完全的扫描波 | 第23-25页 |
| 2.2.4 半波 | 第25-26页 |
| 2.2.5 方波 | 第26页 |
| 2.3 超声波的运用 | 第26-27页 |
| 2.4 能量转换器 | 第27-30页 |
| 2.5 压电陶瓷 | 第30-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 超声波频率的选择 | 第32-54页 |
| 3.1 超声波的能量作用 | 第32-34页 |
| 3.2 空泡产生的原理 | 第34-39页 |
| 3.3 影响产生空穴的因素 | 第39-40页 |
| 3.4 空泡强度与频率的关系 | 第40-42页 |
| 3.5 铝箔侵蚀实验 | 第42-46页 |
| 3.5.1 铝箔侵蚀实验 1 (频率比较) | 第42-43页 |
| 3.5.2 箔侵蚀实验 2 (媒介比较) | 第43页 |
| 3.5.3 铝箔侵蚀实验 3 (条件比较) | 第43-46页 |
| 3.6 超声波和兆声波清洗技术 | 第46-52页 |
| 3.7 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 影响超声波清洗因素 | 第54-60页 |
| 4.1 清洗液的温度 | 第54页 |
| 4.2 超声波清洗槽 | 第54-55页 |
| 4.3 清洗夹具的选择 | 第55-56页 |
| 4.4 超声波清洗剂的选择 | 第56-58页 |
| 4.4.1 草酸和柠檬酸 | 第57-58页 |
| 4.4.2 氢氧化钠和氢氧化铵 | 第58页 |
| 4.5 功率的选择 | 第58-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 超声波的无损伤清洗 | 第60-65页 |
| 5.1 超声波频率与清洗损伤 | 第60-62页 |
| 5.1.1 300μm 铜丝焊接件损伤测试 | 第60-61页 |
| 5.1.2 40μm铜丝焊接件损伤测试 | 第61-62页 |
| 5.2 Wafer硅片在超声波清洗时出现的清洗缺陷 | 第62-64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-67页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
