| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 石墨烯概述 | 第12-21页 |
| 1.2.1 石墨烯结构特征 | 第13-15页 |
| 1.2.2 石墨烯特性 | 第15-18页 |
| 1.2.3 石墨烯薄膜制备工艺 | 第18-21页 |
| 1.3 类金刚石概述 | 第21-32页 |
| 1.3.1 类金刚石结构特征 | 第22-23页 |
| 1.3.2 类金刚石特性 | 第23-28页 |
| 1.3.3 类金刚石薄膜制备工艺 | 第28-32页 |
| 1.4 碳质中间相液晶概述 | 第32-33页 |
| 1.5 本课题研究内容以及创新点研究 | 第33-35页 |
| 第二章 碳质中间相在 Si 表面生长碳基薄膜的研究 | 第35-49页 |
| 2.1 引言 | 第35页 |
| 2.2 实验内容 | 第35-36页 |
| 2.2.1 实验试剂与设备 | 第35-36页 |
| 2.2.2 实验制备方法 | 第36页 |
| 2.3 实验结果分析 | 第36-47页 |
| 2.3.1 实验温度对于热解过程影响 | 第36-41页 |
| 2.3.2 高温前驱体含量中间相的影响 | 第41-45页 |
| 2.3.3 前驱体添加金刚石种晶在热解过程中的影响 | 第45-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 碳质中间相在 SiC 基底表面生长碳基薄膜的研究 | 第49-69页 |
| 3.1 引言 | 第49页 |
| 3.2 实验内容 | 第49-51页 |
| 3.2.1 实验试剂与仪器 | 第49-50页 |
| 3.2.2 实验样品制备工艺 | 第50-51页 |
| 3.2.3 实验检测方法 | 第51页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第51-60页 |
| 3.3.1 碳化硅样品表面形貌分析 | 第52-54页 |
| 3.3.2 碳化硅样品表面薄膜成分分析 | 第54-60页 |
| 3.4 不同参数对于碳化硅基底中间相转变的影响 | 第60-68页 |
| 3.4.1 不同热解层数对于碳化硅表面碳基薄膜的影响 | 第61-62页 |
| 3.4.2 不同含量碳质中间相对于碳化硅表面碳基薄膜的影响 | 第62-66页 |
| 3.4.3 碳化硅热力学模拟 | 第66-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 碳质中间相在 316 不锈钢表面生长碳基薄膜的研究 | 第69-77页 |
| 4.1 引言 | 第69页 |
| 4.2 实验内容 | 第69-70页 |
| 4.2.1 实验试剂与设备 | 第69-70页 |
| 4.2.2 实验制备方法 | 第70页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第70-75页 |
| 4.4 碳质中间相在不同基底表面生长的机理研究 | 第75-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 研究总结与研究展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和申请的专利 | 第84页 |
