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基于UHF法的三相共筒式GIS局部放电检测研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 GIS 概述第9-10页
    1.2 GIS 局部放电检测的意义第10-12页
    1.3 GIS 局部放电检测方法第12-14页
    1.4 本文研究主要内容第14-16页
第2章 电磁波在 GIS 中传播特性和特高频检测法第16-23页
    2.1 引言第16页
    2.2 电磁波传播理论第16-17页
        2.2.1 TEM 波的传输特性第16-17页
        2.2.2 TE 和 TM 波的传输特性第17页
    2.3 GIS 内部 UHF 电磁波传播特性第17-21页
    2.4 特高频法(UHF)第21-22页
        2.4.1 特高频检测法原理第21-22页
        2.4.2 特高频法存在的问题第22页
    2.5 本章小结第22-23页
第3章 110kVGIS 空间三维静电场仿真分析第23-40页
    3.1 引言第23页
    3.2 ANSOFT12 软件简介第23页
    3.3 三维电磁场有限元基础第23-27页
        3.3.1 剖分单元类型第23-24页
        3.3.2 四节点四面体单元类型基函数第24-25页
        3.3.3 电磁场原理第25-27页
    3.4 三相分筒式和三相共筒式 GIS 三维静电场计算第27-32页
        3.4.1 计算模型的建立第27-28页
        3.4.2 仿真设置第28-30页
        3.4.3 计算结果第30-32页
    3.5 三相共筒式 GIS 盘式绝缘子三维静电场计算第32-35页
        3.5.1 计算模型建立第32-33页
        3.5.2 计算内容第33页
        3.5.3 计算结果第33-35页
    3.6 三相共筒式 GIS 内部固定金属颗粒三维静电场计算第35-38页
        3.6.1 计算模型的建立第35-36页
        3.6.2 计算结果第36-38页
    3.7 缺陷尺寸对局部放电起始电压的影响第38页
    3.8 本章小结第38-40页
第4章 三相共筒式 GIS 固定金属微粒局部放电检测第40-51页
    4.1 引言第40页
    4.2 GIS 设备内常见缺陷及产生原因第40-41页
    4.3 表征局部放电的统计特征参数第41-43页
    4.4 试验原理图第43页
    4.5 试验平台第43-45页
        4.5.1 试验装置第43-44页
        4.5.2 局放检测装置第44-45页
    4.6 放电模型第45页
    4.7 试验步骤与注意事项第45-46页
    4.8 试验结果及分析第46-50页
        4.8.1 高压导体上有固定尖刺第46-48页
        4.8.2 GIS 内壁上固定尖刺第48-49页
        4.8.3 绝缘子表面固定金属微粒第49-50页
    4.9 本章小结第50-51页
结论与展望第51-53页
参考文献第53-57页
致谢第57-58页
附录 A 攻读学位期间取得的研究成果第58-59页
附录 B 攻读硕士学位期间参加的研究课题第59页

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