摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第1章 绪论 | 第9-16页 |
1.1 GIS 概述 | 第9-10页 |
1.2 GIS 局部放电检测的意义 | 第10-12页 |
1.3 GIS 局部放电检测方法 | 第12-14页 |
1.4 本文研究主要内容 | 第14-16页 |
第2章 电磁波在 GIS 中传播特性和特高频检测法 | 第16-23页 |
2.1 引言 | 第16页 |
2.2 电磁波传播理论 | 第16-17页 |
2.2.1 TEM 波的传输特性 | 第16-17页 |
2.2.2 TE 和 TM 波的传输特性 | 第17页 |
2.3 GIS 内部 UHF 电磁波传播特性 | 第17-21页 |
2.4 特高频法(UHF) | 第21-22页 |
2.4.1 特高频检测法原理 | 第21-22页 |
2.4.2 特高频法存在的问题 | 第22页 |
2.5 本章小结 | 第22-23页 |
第3章 110kVGIS 空间三维静电场仿真分析 | 第23-40页 |
3.1 引言 | 第23页 |
3.2 ANSOFT12 软件简介 | 第23页 |
3.3 三维电磁场有限元基础 | 第23-27页 |
3.3.1 剖分单元类型 | 第23-24页 |
3.3.2 四节点四面体单元类型基函数 | 第24-25页 |
3.3.3 电磁场原理 | 第25-27页 |
3.4 三相分筒式和三相共筒式 GIS 三维静电场计算 | 第27-32页 |
3.4.1 计算模型的建立 | 第27-28页 |
3.4.2 仿真设置 | 第28-30页 |
3.4.3 计算结果 | 第30-32页 |
3.5 三相共筒式 GIS 盘式绝缘子三维静电场计算 | 第32-35页 |
3.5.1 计算模型建立 | 第32-33页 |
3.5.2 计算内容 | 第33页 |
3.5.3 计算结果 | 第33-35页 |
3.6 三相共筒式 GIS 内部固定金属颗粒三维静电场计算 | 第35-38页 |
3.6.1 计算模型的建立 | 第35-36页 |
3.6.2 计算结果 | 第36-38页 |
3.7 缺陷尺寸对局部放电起始电压的影响 | 第38页 |
3.8 本章小结 | 第38-40页 |
第4章 三相共筒式 GIS 固定金属微粒局部放电检测 | 第40-51页 |
4.1 引言 | 第40页 |
4.2 GIS 设备内常见缺陷及产生原因 | 第40-41页 |
4.3 表征局部放电的统计特征参数 | 第41-43页 |
4.4 试验原理图 | 第43页 |
4.5 试验平台 | 第43-45页 |
4.5.1 试验装置 | 第43-44页 |
4.5.2 局放检测装置 | 第44-45页 |
4.6 放电模型 | 第45页 |
4.7 试验步骤与注意事项 | 第45-46页 |
4.8 试验结果及分析 | 第46-50页 |
4.8.1 高压导体上有固定尖刺 | 第46-48页 |
4.8.2 GIS 内壁上固定尖刺 | 第48-49页 |
4.8.3 绝缘子表面固定金属微粒 | 第49-50页 |
4.9 本章小结 | 第50-51页 |
结论与展望 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-57页 |
致谢 | 第57-58页 |
附录 A 攻读学位期间取得的研究成果 | 第58-59页 |
附录 B 攻读硕士学位期间参加的研究课题 | 第59页 |