| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 文献综述 | 第9-23页 |
| 1.1 课题背景和研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 国外多晶硅行业现状 | 第12-13页 |
| 1.4 多晶硅生产工艺 | 第13-17页 |
| 1.4.1 改良西门子法 | 第13-14页 |
| 1.4.2 硅烷法（硅烷西门子法与硅烷流化床法） | 第14-16页 |
| 1.4.3 锌还原法 | 第16-17页 |
| 1.5 多晶硅生产工艺比较 | 第17-18页 |
| 1.6 还原炉CVD反应器-改良西门子法反应器 | 第18-21页 |
| 1.7 还原炉CVD反应器内主要生产工艺原理 | 第21页 |
| 1.8 本课题研究的目的和意义 | 第21-23页 |
| 第2章 混合气供料操作参数对多晶硅沉积的影响 | 第23-39页 |
| 2.1 CVD反应炉对整体能耗的影响 | 第23-26页 |
| 2.2 通料前期混合气配比改为 2.5:1 生产实验 | 第26-29页 |
| 2.2.1 实验设想 | 第26页 |
| 2.2.2 实验方案 | 第26-29页 |
| 2.3 以混合气配比为 2.5:1 进行实验 | 第29-37页 |
| 2.3.1 确定混合气供料配比 | 第30页 |
| 2.3.2 实验还原炉及挥发器 | 第30页 |
| 2.3.3 工艺参数优化调整 | 第30-32页 |
| 2.3.4 运行情况概述 | 第32页 |
| 2.3.5 运行情况分析 | 第32-37页 |
| 2.4 小结 | 第37-39页 |
| 第3章 还原炉CVD反应器进料喷嘴结构优化 | 第39-65页 |
| 3.1 还原炉喷口结构 | 第40-42页 |
| 3.2 还原炉进口速度 | 第42-43页 |
| 3.3 实验方式 | 第43-44页 |
| 3.4 直通喷嘴实验过程 | 第44-48页 |
| 3.4.1 供料曲线对比 | 第44-45页 |
| 3.4.2 电流曲线对比 | 第45页 |
| 3.4.3 运行结果 | 第45-47页 |
| 3.4.4 出炉后情况 | 第47页 |
| 3.4.5 小结 | 第47-48页 |
| 3.5 螺旋S型喷嘴实验过程 | 第48-65页 |
| 3.5.1 数据对比及模拟分析 | 第48-55页 |
| 3.5.1.1 流场分析 | 第49-52页 |
| 3.5.1.2 温度分析 | 第52-55页 |
| 3.5.2 螺旋S型喷嘴调试运行情况 | 第55页 |
| 3.5.3 直通型喷嘴与螺旋S型喷嘴对比 | 第55-58页 |
| 3.5.4 生产过程中发现问题 | 第58-60页 |
| 3.5.5 直通喷嘴与螺旋S型喷嘴总结 | 第60-65页 |
| 第4章 结论与展望 | 第65-67页 |
| 4.1 结论 | 第65-66页 |
| 4.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |