| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 前言 | 第11-19页 |
| 1.1 量子化学的概述 | 第11页 |
| 1.2 两态反应理论的研究背景和进展 | 第11-13页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第13-15页 |
| 参考文献 | 第15-19页 |
| 第二章 理论基础简介 | 第19-34页 |
| 2.1 反应势能面 | 第19-20页 |
| 2.2 势能面的交叉与不相交原理 | 第20-22页 |
| 2.3 最低能量交叉点(MECP) | 第22-26页 |
| 2.3.1 N原子分子的能量梯度 | 第22页 |
| 2.3.2 N原子分子的Hessian矩阵 | 第22页 |
| 2.3.3 Lagrange-Newton法搜索最低能量交叉点 | 第22-26页 |
| 2.4 自旋-轨道耦合(SOC) | 第26-28页 |
| 2.4.1 自旋-轨道耦合作用 | 第26-27页 |
| 2.4.2 自旋-轨道耦合(SOC)常数的计算 | 第27页 |
| 2.4.3 Landau-Zener公式计算跃迁几率 | 第27-28页 |
| 2.5 Curtin–Hammett原理 | 第28-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第三章 Nb与 2-丁炔分子自旋禁阻反应C―H，C―C键活化机理的理论研究 | 第34-50页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 计算方法 | 第35-36页 |
| 3.2.1 几何构型优化 | 第35页 |
| 3.2.2 自旋-轨道耦合常数及系间窜越几率计算 | 第35-36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-43页 |
| 3.3.1 初始复合物 | 第36-38页 |
| 3.3.2 C―H键的活化过程 | 第38-40页 |
| 3.3.2.1 同一甲基上C―H键的活化过程 | 第38-39页 |
| 3.3.2.2 不同甲基上C―H键的活化过程 | 第39-40页 |
| 3.3.3 C―C键的活化过程 | 第40页 |
| 3.3.4 自旋耦合常数(SOC)和跃迁几率的计算 | 第40-42页 |
| 3.3.5 最低反应路径 | 第42-43页 |
| 3.4 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 支持信息 | 第48-50页 |
| 第四章 Zr(~3F)与 2-丁炔分子自旋禁阻反应C―H，C―C键活化机理的理论研究 | 第50-63页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 计算方法与理论背景 | 第50-52页 |
| 4.2.1 几何结构的优化 | 第50-51页 |
| 4.2.2 自旋-轨道耦合计算 | 第51-52页 |
| 4.3 结果讨论 | 第52-57页 |
| 4.3.1 C―H键的活化 | 第53-55页 |
| 4.3.1.1 同一甲基C―H键的活化 | 第53-54页 |
| 4.3.1.2 不同甲基C―H键的活化 | 第54-55页 |
| 4.3.2 C―C键的活化 | 第55-56页 |
| 4.3.3 势能面交叉机理分析 | 第56-57页 |
| 4.4 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 支持信息 | 第62-63页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
