摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第14-21页 |
1.1 空间辐射环境及辐射效应简介 | 第14-16页 |
1.1.1 空间辐射环境 | 第14-15页 |
1.1.2 器件主要辐射效应 | 第15-16页 |
1.2 单粒子效应研究的背景和意义 | 第16-17页 |
1.3 单粒子效应研究现状及发展趋势 | 第17-19页 |
1.4 研究内容 | 第19页 |
1.5 论文结构 | 第19-21页 |
第二章 单粒子翻转效应理论及敏感体模型 | 第21-28页 |
2.1 单粒子效应的物理机制 | 第21-24页 |
2.1.1 重离子 | 第21-23页 |
2.1.2 脉冲激光 | 第23-24页 |
2.2 单粒子翻转(SEU)效应机制 | 第24-25页 |
2.3 敏感体模型 | 第25-27页 |
2.3.1 RPP模型 | 第25-26页 |
2.3.2 复合敏感体模型 | 第26-27页 |
2.4 本章小结 | 第27-28页 |
第三章 激光脉冲能量等效重离子LET的计算 | 第28-40页 |
3.1 等效LET计算 | 第28-36页 |
3.1.1 线性吸收条件 | 第28-30页 |
3.1.2 非线性吸收效应影响[31-32] | 第30-35页 |
3.1.3 器件表面反射和折射影响 | 第35-36页 |
3.2 激光脉冲参数选择 | 第36-38页 |
3.2.1 激光波长 | 第36-37页 |
3.2.2 激光束斑 | 第37页 |
3.2.3 激光脉冲能量 | 第37页 |
3.2.4 激光脉宽 | 第37-38页 |
3.3 公式算例验证 | 第38页 |
3.4 误差分析及讨论 | 第38-39页 |
3.5 本章小结 | 第39-40页 |
第四章 TCAD建模及敏感体参数提取 | 第40-51页 |
4.1 Sentaurus TCAD及混合仿真介绍 | 第40-42页 |
4.1.1 Sentaurus TCAD软件简介 | 第40-41页 |
4.1.2 TCAD+Hspice混合模拟仿真 | 第41-42页 |
4.2 TCAD器件建模及校准 | 第42-44页 |
4.3 临界电荷提取 | 第44-46页 |
4.4 复合敏感体参数提取 | 第46-50页 |
4.4.1 复合敏感体长L、宽W的提取 | 第46-48页 |
4.4.2 复合敏感体深度D和敏感系数的提取 | 第48-50页 |
4.5 本章小结 | 第50-51页 |
第五章 Geant4软件及其仿真建模 | 第51-74页 |
5.1 蒙特卡罗方法简介 | 第51-52页 |
5.2 Geant4功能模块简介 | 第52-54页 |
5.3 Geant4的基本原理 | 第54-57页 |
5.4 探测器建模 | 第57-59页 |
5.4.1 材料定义 | 第57-58页 |
5.4.2 探测器几何结构定义 | 第58-59页 |
5.5 初始事件定义 | 第59-60页 |
5.6 指定粒子 | 第60-61页 |
5.6.1 粒子定义 | 第61页 |
5.6.2 设置截断值 | 第61页 |
5.7 物理过程定义 | 第61-64页 |
5.7.1 重离子物理过程定义 | 第62页 |
5.7.2 光子物理过程定义 | 第62-64页 |
5.8 SEU判断模块总体实现 | 第64-66页 |
5.8.1 沉积能量收集 | 第64-65页 |
5.8.2 事件循环与翻转事件次数统计 | 第65-66页 |
5.9 翻转截面(s)的计算 | 第66页 |
5.10 基于SRAM的单粒子效应预测 | 第66-71页 |
5.10.1 重离子仿真结果 | 第66-69页 |
5.10.2 光子仿真结果 | 第69-71页 |
5.11 单粒子翻转效应的影响因素 | 第71-73页 |
5.12 本章小结 | 第73-74页 |
第六章 总结与展望 | 第74-76页 |
6.1 研究总结 | 第74-75页 |
6.2 研究展望 | 第75-76页 |
致谢 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-82页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第82-83页 |