| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 辐射环境介绍 | 第8-11页 |
| 1.1.1 空间辐射 | 第8-10页 |
| 1.1.2 大气辐射和地面辐射 | 第10页 |
| 1.1.3 核爆炸辐射 | 第10-11页 |
| 1.2 单粒子效应概述 | 第11-15页 |
| 1.2.1 单粒子效应类型 | 第11-12页 |
| 1.2.2 单粒子效应导致电荷共享 | 第12-13页 |
| 1.2.3 线性能量转移 | 第13-15页 |
| 1.3 电荷共享国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 本文主要工作内容 | 第17-18页 |
| 第2章 电荷共享效应机理研究 | 第18-37页 |
| 2.1 TCAD软件介绍 | 第18-20页 |
| 2.2 电荷共享理论分析 | 第20-25页 |
| 2.2.1 电荷的产生 | 第20-21页 |
| 2.2.2 电荷的输运和收集 | 第21-22页 |
| 2.2.3 双极放大效应 | 第22-24页 |
| 2.2.4 电荷共享机理 | 第24-25页 |
| 2.3 模型建立与特性拟合 | 第25-28页 |
| 2.3.1 MOS管模型 | 第25-28页 |
| 2.3.2 MOS管Id-Vd拟合 | 第28页 |
| 2.4 MOS管电荷共享机理验证 | 第28-33页 |
| 2.4.1 NMOS管 | 第29-31页 |
| 2.4.2 PMOS管 | 第31-33页 |
| 2.5 不同工艺下双极放大效应对比 | 第33-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 入射条件和工艺条件对电荷共享影响 | 第37-47页 |
| 3.1 模拟流程和设置 | 第37-38页 |
| 3.2 打入不同能量粒子对电荷共享影响 | 第38-41页 |
| 3.2.1 NMOS仿真 | 第38-39页 |
| 3.2.2 PMOS仿真 | 第39-41页 |
| 3.3 不同入射角度对电荷共享影响 | 第41-44页 |
| 3.3.1 NMOS仿真 | 第41-43页 |
| 3.3.2 PMOS仿真 | 第43-44页 |
| 3.4 不同浅槽隔离（STI）深度对电荷共享影响 | 第44-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 版图布局对电荷共享影响研究 | 第47-55页 |
| 4.1 相邻两器件布局对电荷共享研究 | 第47-49页 |
| 4.2 阱接触对电荷共享影响研究 | 第49-53页 |
| 4.2.1 阱接触面积对电荷共享影响 | 第49-52页 |
| 4.2.2 阱接触与器件距离对电荷共享影响 | 第52-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 SRAM翻转再恢复研究 | 第55-66页 |
| 5.1 SRAM翻转再恢复效应 | 第55-59页 |
| 5.1.1 SRAM单元翻转及其再恢复分析与验证 | 第56-57页 |
| 5.1.2 TCAD仿真结果 | 第57-59页 |
| 5.2 电荷共享导致翻转再恢复的证明 | 第59-61页 |
| 5.2.1 单个三维模型仿真 | 第59-60页 |
| 5.2.2 不同角度入射进行仿真 | 第60-61页 |
| 5.3 不同P~+深阱的掺杂浓度对SRAM翻转再恢复影响 | 第61-64页 |
| 5.3.1 P~+深阱掺杂浓度对电荷收集影响机理 | 第62-63页 |
| 5.3.2 SRAM仿真结果 | 第63-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 致谢 | 第75页 |