氧化钽薄膜的制备及表征
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-13页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 Ta_2O_5的晶体结构 | 第11页 |
| 1.3 Ta_2O_5的应用 | 第11页 |
| 1.4 稀磁半导体氧化物的发展瓶颈 | 第11页 |
| 1.5 氧空位缺陷对金属氧化物的影响 | 第11-12页 |
| 1.6 选题背景及主要的研究内容 | 第12-13页 |
| 2 实验方法与仪器 | 第13-21页 |
| 2.1 阳极氧化法 | 第13-15页 |
| 2.1.1 实验仪器与原材料 | 第13-14页 |
| 2.1.2 实验过程 | 第14-15页 |
| 2.2 磁控溅射法 | 第15-17页 |
| 2.2.1 磁控溅射原理 | 第15页 |
| 2.2.2 溅射过程的可调参数 | 第15-16页 |
| 2.2.3 溅射制备的原材料及参数 | 第16-17页 |
| 2.3 测试仪器 | 第17-21页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪(XRD) | 第17-18页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第18-19页 |
| 2.3.3 荧光分光光度计(FS) | 第19-20页 |
| 2.3.4 物理性能测试系统(PPMS) | 第20-21页 |
| 3 多孔Ta_2O_5的制备及形貌表征 | 第21-27页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 多孔Ta_2O_5薄膜的制备 | 第21-24页 |
| 3.2.1 基底温度对多孔氧化钽薄膜结构的影响 | 第21-22页 |
| 3.2.2 氧气流量对多孔氧化钽薄膜结构的影响 | 第22-24页 |
| 3.2.3 溅射时间对多孔氧化钽薄膜结构的影响 | 第24页 |
| 3.3 多孔Ta_2O_5薄膜的表征 | 第24-26页 |
| 3.3.1 Ta_2O_5薄膜的形貌表征 | 第24-26页 |
| 3.4 小结 | 第26-27页 |
| 4 多孔Ta_2O_5的磁性表征与机理解释 | 第27-35页 |
| 4.1 引言 | 第27-28页 |
| 4.2 多孔Ta_2O_5薄膜的磁性表征 | 第28-33页 |
| 4.2.1 多孔氧化钽薄膜的室温铁磁性 | 第28-30页 |
| 4.2.2 溅射时间对多孔氧化钽薄膜磁性的影响 | 第30页 |
| 4.2.3 退火对多孔氧化钽薄膜磁性的影响 | 第30-32页 |
| 4.2.4 多孔氧化钽薄膜磁性与温度的关系 | 第32-33页 |
| 4.3 机理解释 | 第33页 |
| 4.4 小结 | 第33-35页 |
| 5 总结与展望 | 第35-37页 |
| 5.1 结论 | 第35页 |
| 5.2 创新点 | 第35页 |
| 5.3 工作展望 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第47页 |
