| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 稀磁半导体材料 | 第8-10页 |
| 1.3 相变存储材料 | 第10-11页 |
| 1.4 磁性相变材料 | 第11-12页 |
| 1.5 材料计算与方法 | 第12-13页 |
| 1.6 论文的研究目的与论文结构 | 第13-15页 |
| 2 第一性原理模拟理论 | 第15-25页 |
| 2.1 VASP软件介绍 | 第15-16页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第16-21页 |
| 2.3 赝势平面波 | 第21-22页 |
| 2.4 交换相关能泛函 | 第22-25页 |
| 3 GeTe磁性相变材料计算 | 第25-35页 |
| 3.1 结构优化 | 第26-31页 |
| 3.2 分子动力学非晶计算 | 第31-32页 |
| 3.3 态密度计算 | 第32-35页 |
| 4 GeTe磁性相变材料计算结果分析 | 第35-44页 |
| 4.1 不同掺杂浓度计算分析 | 第35-42页 |
| 4.2 相变对磁性相变材料磁性的影响 | 第42-44页 |
| 5 总结与展望 | 第44-45页 |
| 5.1 总结 | 第44页 |
| 5.2 展望 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |