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忆阻器的电路特性研究及其应用

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 课题背景与意义第9-10页
    1.2 忆阻器研究的现状第10-13页
        1.2.1 窗函数忆阻模型研究现状第10-12页
        1.2.2 忆阻器的应用研究现状第12-13页
    1.3 主要研究内容与本文结构第13-15页
        1.3.1 主要研究内容第13-14页
        1.3.2 论文的组织结构第14-15页
第二章 忆阻器模型的构建及窗函数的引入第15-23页
    2.1 忆阻器线性模型的构建及其表现形式第15-16页
    2.2 忆阻器非线性模型的构建第16-17页
    2.3 非线性忆阻器的仿真第17-22页
        2.3.1 忆阻器Spice模型的构建第18-20页
        2.3.2 非线性模型在Spice中的仿真第20-22页
    2.4 本章小结第22-23页
第三章 基于新窗的忆阻器模型的构建第23-31页
    3.1 新窗函数的引入第23-27页
        3.1.1 新窗函数的参数分析第24-26页
        3.1.2 窗函数之间的比较第26-27页
    3.2 忆阻器在SPICE中的仿真第27-30页
        3.2.1 解决“边界效应”第27-29页
        3.2.2 解决“边界锁死”第29-30页
    3.3 本章小结第30-31页
第四章 通用窗函数的引入及特性分析第31-38页
    4.1 通用窗函数的介绍第31-32页
    4.2 通用窗函数的参数选取及其仿真第32-36页
        4.2.1 通用窗函数忆阻模型的指标评定第32-34页
        4.2.2 参数选择对分辨率的影响第34-36页
    4.3 本章小结第36-38页
第五章 可编程忆阻器应用电路的研究第38-51页
    5.1 可编程忆阻器原理第38-39页
    5.2 基于可编程忆阻器的读写电路的设计第39-43页
        5.2.1 忆阻器阻值读电路第39-40页
        5.2.2 忆阻器阻值写电路第40-43页
    5.3 忆阻器在可编程读写电路中的应用第43-46页
    5.4 基于通用窗函数的可变增益电路的设计第46-50页
        5.4.1 可编程忆阻器控制电路第47-48页
        5.4.2 可变增益放大电路第48-50页
    5.5 本章小结第50-51页
第六章 总结与展望第51-53页
    6.1 工作总结第51页
    6.2 展望第51-53页
参考文献第53-57页
攻读硕士期间已发表或录用的论文第57-58页
致谢第58-59页

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