摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-16页 |
1.1 半导体激光器的简介 | 第8-11页 |
1.1.1 半导体激光器的发展历史 | 第8-9页 |
1.1.2 半导体激光器的工作原理 | 第9-10页 |
1.1.3 半导体激光器的优点 | 第10-11页 |
1.1.4 半导体激光器的应用 | 第11页 |
1.2 852nm半导体激光器的简介 | 第11-14页 |
1.2.1 852nm半导体激光器的研究背景与意义 | 第11-12页 |
1.2.2 852nm半导体激光器的重要应用——铯原子钟 | 第12-13页 |
1.2.3 852nm半导体激光器的研究现状 | 第13-14页 |
1.3 本论文的主要研究工作 | 第14-15页 |
1.4 本章小结 | 第15-16页 |
第2章 半导体激光器的外延技术 | 第16-30页 |
2.1 外延技术的简介 | 第16-17页 |
2.1.1 外延技术的发展历史 | 第16页 |
2.1.2 常见的外延技术 | 第16-17页 |
2.2 金属有机物化学气相淀积 | 第17-18页 |
2.2.1 MOCVD的简介 | 第17-18页 |
2.2.2 MOCVD的优缺点 | 第18页 |
2.2.3 低压金属有机物化学气相沉积 | 第18页 |
2.3 外延生长设备 | 第18-25页 |
2.3.1 MOCVD气体输运分系统 | 第20-22页 |
2.3.2 MOCVD生长反应分系统 | 第22-23页 |
2.3.3 MOCVD生长控制分系统 | 第23-24页 |
2.3.4 MOCVD尾气处理分系统 | 第24-25页 |
2.3.5 MOCVD原位检测系统 | 第25页 |
2.4 外延测试技术 | 第25-28页 |
2.4.1 光致荧光光谱 | 第25-26页 |
2.4.2 电化学掺杂浓度测试 | 第26-28页 |
2.5 本章小结 | 第28-30页 |
第3章 852nm半导体激光器的外延结构设计 | 第30-46页 |
3.1 AlGaInAs量子阱的研究 | 第30-33页 |
3.2 半导体激光器的光波导模型 | 第33-39页 |
3.2.1 基本方程 | 第33-35页 |
3.2.2 波导模型 | 第35-36页 |
3.2.3 传输矩阵法 | 第36-38页 |
3.2.4 近场和远场分布 | 第38-39页 |
3.3 波导结构的分析与优化 | 第39-43页 |
3.3.1 852nm半导体激光器的设计要求 | 第39页 |
3.3.2 非对称波导对阈值和功率的影响 | 第39-41页 |
3.3.3 非对称波导对模式的影响 | 第41-42页 |
3.3.4 非对称波导对远场发散角的影响 | 第42-43页 |
3.4 852nm半导体激光器的结构 | 第43-44页 |
3.5 本章小结 | 第44-46页 |
第4章 852nm半导体激光器的外延生长与优化 | 第46-54页 |
4.1 影响外延生长的条件 | 第46-49页 |
4.1.1 衬底对外延生长的影响 | 第46页 |
4.1.2 MO源的种类对外延生长的影响 | 第46-47页 |
4.1.3 生长温度对外延生长的影响 | 第47-48页 |
4.1.4 输入Ⅴ/Ⅲ对外延生长的影响 | 第48页 |
4.1.5 掺杂对外延生长的影响 | 第48-49页 |
4.1.6 反应室压强 | 第49页 |
4.2 MOCVD的优化过程 | 第49-53页 |
4.2.1 外延表征结构的制作 | 第49-50页 |
4.2.2 外延生长V/III的优化 | 第50-51页 |
4.2.3 外延生长的优化 | 第51-53页 |
4.3 852nm半导体激光器的制备条件 | 第53页 |
4.4 本章小结 | 第53-54页 |
第5章 852nm半导体激光器的制备 | 第54-66页 |
5.1 852nm半导体激光器的外延生长 | 第54-55页 |
5.2 半导体激光器的外延测试结果 | 第55-58页 |
5.2.1 光致发光测试 | 第55-56页 |
5.2.2 ECV电化学测试 | 第56-58页 |
5.2.3 外延均匀性测试 | 第58页 |
5.3 半导体激光器的制备工艺流程 | 第58-60页 |
5.4 封装后器件测试结果 | 第60-64页 |
5.5 本章小结 | 第64-66页 |
结论 | 第66-68页 |
攻读硕士学位期间发表论文 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-74页 |
致谢 | 第74页 |