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852nm半导体激光器的结构设计与制备

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第8-16页
    1.1 半导体激光器的简介第8-11页
        1.1.1 半导体激光器的发展历史第8-9页
        1.1.2 半导体激光器的工作原理第9-10页
        1.1.3 半导体激光器的优点第10-11页
        1.1.4 半导体激光器的应用第11页
    1.2 852nm半导体激光器的简介第11-14页
        1.2.1 852nm半导体激光器的研究背景与意义第11-12页
        1.2.2 852nm半导体激光器的重要应用——铯原子钟第12-13页
        1.2.3 852nm半导体激光器的研究现状第13-14页
    1.3 本论文的主要研究工作第14-15页
    1.4 本章小结第15-16页
第2章 半导体激光器的外延技术第16-30页
    2.1 外延技术的简介第16-17页
        2.1.1 外延技术的发展历史第16页
        2.1.2 常见的外延技术第16-17页
    2.2 金属有机物化学气相淀积第17-18页
        2.2.1 MOCVD的简介第17-18页
        2.2.2 MOCVD的优缺点第18页
        2.2.3 低压金属有机物化学气相沉积第18页
    2.3 外延生长设备第18-25页
        2.3.1 MOCVD气体输运分系统第20-22页
        2.3.2 MOCVD生长反应分系统第22-23页
        2.3.3 MOCVD生长控制分系统第23-24页
        2.3.4 MOCVD尾气处理分系统第24-25页
        2.3.5 MOCVD原位检测系统第25页
    2.4 外延测试技术第25-28页
        2.4.1 光致荧光光谱第25-26页
        2.4.2 电化学掺杂浓度测试第26-28页
    2.5 本章小结第28-30页
第3章 852nm半导体激光器的外延结构设计第30-46页
    3.1 AlGaInAs量子阱的研究第30-33页
    3.2 半导体激光器的光波导模型第33-39页
        3.2.1 基本方程第33-35页
        3.2.2 波导模型第35-36页
        3.2.3 传输矩阵法第36-38页
        3.2.4 近场和远场分布第38-39页
    3.3 波导结构的分析与优化第39-43页
        3.3.1 852nm半导体激光器的设计要求第39页
        3.3.2 非对称波导对阈值和功率的影响第39-41页
        3.3.3 非对称波导对模式的影响第41-42页
        3.3.4 非对称波导对远场发散角的影响第42-43页
    3.4 852nm半导体激光器的结构第43-44页
    3.5 本章小结第44-46页
第4章 852nm半导体激光器的外延生长与优化第46-54页
    4.1 影响外延生长的条件第46-49页
        4.1.1 衬底对外延生长的影响第46页
        4.1.2 MO源的种类对外延生长的影响第46-47页
        4.1.3 生长温度对外延生长的影响第47-48页
        4.1.4 输入Ⅴ/Ⅲ对外延生长的影响第48页
        4.1.5 掺杂对外延生长的影响第48-49页
        4.1.6 反应室压强第49页
    4.2 MOCVD的优化过程第49-53页
        4.2.1 外延表征结构的制作第49-50页
        4.2.2 外延生长V/III的优化第50-51页
        4.2.3 外延生长的优化第51-53页
    4.3 852nm半导体激光器的制备条件第53页
    4.4 本章小结第53-54页
第5章 852nm半导体激光器的制备第54-66页
    5.1 852nm半导体激光器的外延生长第54-55页
    5.2 半导体激光器的外延测试结果第55-58页
        5.2.1 光致发光测试第55-56页
        5.2.2 ECV电化学测试第56-58页
        5.2.3 外延均匀性测试第58页
    5.3 半导体激光器的制备工艺流程第58-60页
    5.4 封装后器件测试结果第60-64页
    5.5 本章小结第64-66页
结论第66-68页
攻读硕士学位期间发表论文第68-69页
参考文献第69-74页
致谢第74页

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