| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 自旋与自旋阀 | 第9-12页 |
| 1.3 二维纳米材料 | 第12-13页 |
| 1.4 二维过渡金属硫化物自旋阀器件的研究进展 | 第13-15页 |
| 1.5 二维过渡金属硫化物自旋阀器件的应用前景 | 第15-17页 |
| 1.6 本论文的工作 | 第17-19页 |
| 第2章 二维过渡金属硫化物材料的制备与表征 | 第19-27页 |
| 2.1 二维过渡金属硫化物及其结构特性 | 第19-20页 |
| 2.2 二维过渡金属硫化物材料的制备技术 | 第20-23页 |
| 2.2.1“自上而下”法 | 第20-21页 |
| 2.2.2“自下而上”法 | 第21-22页 |
| 2.2.3 辅助制备技术 | 第22-23页 |
| 2.3 二维过渡金属硫化物材料的表征方法 | 第23-26页 |
| 2.3.1 原子力显微镜 | 第23-24页 |
| 2.3.2 光学显微镜 | 第24-25页 |
| 2.3.3 拉曼散射 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 TMDs基自旋阀器件制备与电学特性研究 | 第27-43页 |
| 3.1 自旋阀器件制备关键工艺简单介绍 | 第27-28页 |
| 3.2 自旋阀器件设计 | 第28-29页 |
| 3.2.1 基片结构设计 | 第28-29页 |
| 3.2.2 器件结构设计 | 第29页 |
| 3.3 自旋阀器件制备工艺流程 | 第29-35页 |
| 3.3.1 基片制备及材料选取 | 第29-32页 |
| 3.3.2 电子束曝光工艺 | 第32-33页 |
| 3.3.3 金属沉积及剥离工艺 | 第33-34页 |
| 3.3.4 划片及引线工艺 | 第34-35页 |
| 3.4 TMDC材料基自旋阀器件的电学测试 | 第35-42页 |
| 3.4.1 自旋阀器件中TMDC材料的电学输运理论 | 第35-36页 |
| 3.4.2 MoS_2自旋阀器件的基本电学测试 | 第36-38页 |
| 3.4.3 WS_2自旋阀器件的基本电学测试 | 第38-40页 |
| 3.4.4 TiS_2自旋阀器件的基本电学测试 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 WSe_2基自旋阀器件的温度特性和电流特性研究 | 第43-55页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 WSe_2基自旋阀器件常温电磁特性 | 第43-47页 |
| 4.3 WSe_2基垂直自旋阀器件的温度特性 | 第47-51页 |
| 4.4 WSe_2基垂直自旋阀器件的电流特性 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |