| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-22页 |
| ·本课题研究的背景及意义 | 第7-8页 |
| ·太阳能电池的分类及基本原理 | 第8-15页 |
| ·无机半导体太阳能电池原理 | 第9-12页 |
| ·染料敏化纳米晶太阳能电池原理 | 第12-13页 |
| ·有机太阳能电池原理 | 第13-15页 |
| ·铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池 | 第15-19页 |
| ·薄膜太阳能电池研究综述 | 第15页 |
| ·CIGS 薄膜太阳能电池结构 | 第15-18页 |
| ·CIGS 薄膜太阳能电池研究现状 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 CdS 多晶薄膜及CIGS 缓冲层材料 | 第22-39页 |
| ·CdS 薄膜的性质 | 第22页 |
| ·CdS 多晶薄膜的常见制备方法 | 第22-28页 |
| ·化学浴沉积法（CBD） | 第22-24页 |
| ·电化学沉积法 | 第24-26页 |
| ·近空间升华法（CSS） | 第26-27页 |
| ·真空蒸发与磁控溅射 | 第27-28页 |
| ·CdS 多晶薄膜的应用 | 第28-30页 |
| ·CdS/CdTe 异质结太阳能电池 | 第28-30页 |
| ·CIGS 太阳能电池缓冲层材料 | 第30-36页 |
| ·晶格失配率的计算 | 第30-31页 |
| ·异质结的能带结构 | 第31-34页 |
| ·缓冲层材料的发展 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 温度和时间对化学浴沉积法制备多晶CdS 薄膜性能的影响 | 第39-59页 |
| ·引言 | 第39-41页 |
| ·实验过程 | 第41-45页 |
| ·薄膜的生长速率 | 第45-47页 |
| ·阿伦尼乌斯方程 | 第46-47页 |
| ·温度和沉积时间对薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| ·XRD 表征薄膜的晶体结构 | 第48-51页 |
| ·多晶CdS 薄膜的紫外‐可见‐红外光透射谱 | 第51-52页 |
| ·CdS 多晶薄膜的带隙值分析 | 第52-56页 |
| ·透射光谱计算薄膜带隙 | 第52-54页 |
| ·CdS 多晶薄膜带隙值变化 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 非真空法制备 CZTS 薄膜的初步探索 | 第59-67页 |
| ·CZTS 薄膜概述 | 第59-61页 |
| ·CZTS 薄膜的制备 | 第61-63页 |
| ·CZTS 薄膜的表征 | 第63-64页 |
| ·SEM 及EDX 表征 | 第63-64页 |
| ·XRD 表征 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第68页 |