| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 引言 | 第9-29页 |
| 1.1 ZnO的基本性质 | 第10-12页 |
| 1.1.1 ZnO的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.1.2 ZnO的光学特性 | 第11-12页 |
| 1.1.3 ZnO的电学特性 | 第12页 |
| 1.1.4 ZnO的压电特性 | 第12页 |
| 1.1.5 ZnO的气敏特性 | 第12页 |
| 1.2 ZnO纳米材料及器件的研究进展 | 第12-27页 |
| 1.2.1 ZnO纳米材料的研究进展 | 第12-19页 |
| 1.2.2 ZnO基发光器件的研究进展 | 第19-27页 |
| 1.3 ZnO纳米材料尚待解决的问题 | 第27页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 2 ZnO纳米材料的制备方法及相关表征手段 | 第29-33页 |
| 2.1 ZnO纳米材料的制备方法 | 第29-30页 |
| 2.1.1 化学气相沉积(CVD) | 第29-30页 |
| 2.1.2 模板法 | 第30页 |
| 2.1.3 水热法 | 第30页 |
| 2.2 相关表征手段 | 第30-33页 |
| 2.2.1 X射线衍射谱(XRD) | 第30-31页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第31页 |
| 2.2.3 光致发光谱(PL) | 第31-33页 |
| 3 不同磷含量ZnO纳米线阵列的生长及特性研究 | 第33-39页 |
| 3.1 实验部分 | 第33-35页 |
| 3.2 样品的结构分析 | 第35-36页 |
| 3.3 样品的表面形貌 | 第36-37页 |
| 3.4 样品的光学特性 | 第37-38页 |
| 3.5 小结 | 第38-39页 |
| 4 p-ZnO/n-ZnO纳米线同质结发光二极管的制备及性能研究 | 第39-47页 |
| 4.1 p-ZnO纳米线、n-ZnO纳米线和发光二极管的制备 | 第39-40页 |
| 4.1.1 p-ZnO纳米线和n-ZnO纳米线的制备 | 第39页 |
| 4.1.2 发光二极管的制备 | 第39-40页 |
| 4.2 材料的表面形貌 | 第40-41页 |
| 4.3 材料的结构分析 | 第41-42页 |
| 4.4 材料的光学性质 | 第42-44页 |
| 4.5 器件的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第44-45页 |
| 4.6 器件的电致发光 | 第45-46页 |
| 4.7 小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
