| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-32页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展历史 | 第14-16页 |
| 1.3 薄膜晶体管应用 | 第16-19页 |
| 1.4 TFT器件结构 | 第19-20页 |
| 1.5 TFT器件工作原理 | 第20-21页 |
| 1.6 ZTO材料介绍 | 第21-23页 |
| 1.7 NiO材料介绍 | 第23-25页 |
| 1.8 本论文的工作 | 第25-26页 |
| 1.9 参考文献 | 第26-32页 |
| 第二章 薄膜沉积及器件制备工艺 | 第32-47页 |
| 2.1 薄膜制备方法介绍 | 第32-35页 |
| 2.1.1 溅射法生长薄膜 | 第32-33页 |
| 2.1.2 原子层沉积法生长薄膜 | 第33-34页 |
| 2.1.3 热蒸发法生长薄膜 | 第34-35页 |
| 2.1.4 退火工艺原理 | 第35页 |
| 2.2 薄膜表征手段 | 第35-40页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第35页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第35-36页 |
| 2.2.3 X射线衍射 | 第36-37页 |
| 2.2.4 透射光谱 | 第37-39页 |
| 2.2.5 霍尔效应测试方法 | 第39-40页 |
| 2.3 光刻工艺 | 第40-42页 |
| 2.3.1 光刻原理 | 第40-41页 |
| 2.3.2 湿法刻蚀 | 第41页 |
| 2.3.3 聚焦离子束(FIB)刻蚀 | 第41-42页 |
| 2.3.4 剥离图案法 | 第42页 |
| 2.4 薄膜晶体管器件测试原理 | 第42-45页 |
| 2.4.1 电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试 | 第42-44页 |
| 2.4.2 电容-电压(C-V)测试 | 第44-45页 |
| 2.5 参考文献 | 第45-47页 |
| 第三章 ZTO薄膜晶体管制备和研究 | 第47-70页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 ZTO薄膜结构和电学性质 | 第48-53页 |
| 3.3 ZTO-TFT的结构和工艺流程 | 第53-54页 |
| 3.4 Ta_2O_5栅ZTO薄膜晶体管 | 第54-60页 |
| 3.4.1 透明电极铟锡氧(ITO)的摸索 | 第54-56页 |
| 3.4.2 Ta_2O_5绝缘层不同生长参数对器件性能的影响 | 第56-60页 |
| 3.5 基于Ta_2O_5栅介质的ZTO纳米线晶体管制备及性能研究 | 第60-65页 |
| 3.5.1 引言 | 第60-61页 |
| 3.5.2 纳米线晶体管的制备和测试过程 | 第61页 |
| 3.5.3 实验结果和讨论 | 第61-65页 |
| 3.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 3.7 参考文献 | 第66-70页 |
| 第四章 TFT中源漏电极接触电阻对器件性能影响及研究 | 第70-81页 |
| 4.1 引言 | 第70-71页 |
| 4.2 Al_2O_3栅薄膜晶体管的制备和测试 | 第71-72页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第72-77页 |
| 4.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 4.5 参考文献 | 第78-81页 |
| 第五章 基于NiO的p型薄膜晶体管制备和研究 | 第81-93页 |
| 5.1 引言 | 第81页 |
| 5.2 NiO薄膜及其TFT晶体管的制备过程 | 第81-83页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第83-89页 |
| 5.4 本章小结 | 第89-90页 |
| 5.5 参考文献 | 第90-93页 |
| 第六章 总结和工作展望 | 第93-96页 |
| 6.1 本文的研究工作总结 | 第93-94页 |
| 6.2 今后工作展望 | 第94-96页 |
| 个人简历 | 第96-97页 |
