| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 半导体激光器的发展与应用 | 第9-12页 |
| 1.3 半导体激光器COD特性与研究现状 | 第12-19页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 大功率半导体激光器基础与钝化处理技术 | 第20-48页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 大功率半导体激光器基础 | 第20-32页 |
| 2.3 大功率半导体激光器COD及其腔面钝化技术 | 第32-47页 |
| 2.4 小结 | 第47-48页 |
| 第三章 GaAs表面的湿法钝化 | 第48-61页 |
| 3.1 引言 | 第48页 |
| 3.2 GaAs表面湿法去氧化层工艺 | 第48-49页 |
| 3.3 湿法硫钝化 | 第49-54页 |
| 3.4 湿法氮钝化 | 第54-60页 |
| 3.5 小结 | 第60-61页 |
| 第四章 GaAs表面的等离子钝化 | 第61-81页 |
| 4.1 引言 | 第61页 |
| 4.2 等离子体表面清洗 | 第61-65页 |
| 4.3 氮等离子体钝化 | 第65-73页 |
| 4.4 硫-氩混合等离子体钝化 | 第73-77页 |
| 4.5 硫-氮混合等离子体钝化 | 第77-80页 |
| 4.6 本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 钝化处理在 980nm半导体激光器工艺制备中的应用比较 | 第81-91页 |
| 5.1 引言 | 第81页 |
| 5.2 980nm半导体激光器的制备 | 第81-84页 |
| 5.3 980nm高功率半导体腔面膜的制备 | 第84-88页 |
| 5.4 半导体激光器的输出特性测试及分析 | 第88-90页 |
| 5.5 本章小结 | 第90-91页 |
| 结论 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-101页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文和申请专利情况 | 第101页 |