波导等离子体限幅器设计方法研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-24页 |
| 1.1 本文研究背景及意义 | 第18-19页 |
| 1.2 国内外的发展现状 | 第19-20页 |
| 1.3 波导等离子体限幅器概述 | 第20-21页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第21-24页 |
| 第二章 高功率微波特性及其毁伤机理 | 第24-34页 |
| 2.1 高功率微波特性的研究 | 第24-27页 |
| 2.1.1 高斯脉冲调制的HPM波形 | 第24-25页 |
| 2.1.2 方波调制的HPM波形 | 第25-27页 |
| 2.2 高功率微波对电子设备的毁伤机理 | 第27-32页 |
| 2.2.1 高功率微波的耦合途径 | 第27-29页 |
| 2.2.2 HPM效应 | 第29-30页 |
| 2.2.3 毁伤机理 | 第30-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 天线端.的前门耦合量计算分析 | 第34-48页 |
| 3.1 前门耦合量的计算方法描述 | 第34-35页 |
| 3.2 天线增益的获取方法 | 第35-37页 |
| 3.2.1 抛物面天线的方向图以及增益获取方法 | 第35-36页 |
| 3.2.2 主瓣内天线增益的计算方法 | 第36-37页 |
| 3.3 天线有效接收面积的计算方法 | 第37-39页 |
| 3.4 接收功率与场强的转化关系 | 第39-40页 |
| 3.5 前门耦合量计算模型的适用范围 | 第40-44页 |
| 3.5.1 计算模型所适用的场区范围 | 第40-41页 |
| 3.5.2 与商用电磁仿真软件结果的对比 | 第41-44页 |
| 3.6 仿真实例 | 第44-46页 |
| 3.6.1 接收功率随天线角度变化 | 第44-45页 |
| 3.6.2 接收功率随HPM频率变化 | 第45-46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 等离子体特性 | 第48-60页 |
| 4.1 等离子体形成的微观机理 | 第48-50页 |
| 4.2 等离子体特性 | 第50-54页 |
| 4.2.1 等离子体的震荡性 | 第50-51页 |
| 4.2.2 等离子体对入射的电磁波的衰减计算 | 第51-54页 |
| 4.3 等离子体透射功率的计算模型 | 第54-58页 |
| 4.3.1 计算模型的提出 | 第54-56页 |
| 4.3.2 参数讨论 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 波导等离子限幅器设计方法 | 第60-78页 |
| 5.1 波导等离子体限幅器的限幅原理 | 第60页 |
| 5.2 等离子体击穿场强以及形成时间计算 | 第60-68页 |
| 5.2.1 等离子体击穿场强的计算 | 第60-62页 |
| 5.2.2 等离子体形成时间计算 | 第62-63页 |
| 5.2.3 参数讨论 | 第63-68页 |
| 5.3 波导等离子体限幅器的设计方法 | 第68-74页 |
| 5.3.1 设计原则 | 第68页 |
| 5.3.2 设计方法 | 第68-71页 |
| 5.3.3 设计实例 | 第71-74页 |
| 5.4 级联限幅器的设计 | 第74-76页 |
| 5.4.1 PIN限幅器特性 | 第74-76页 |
| 5.4.2 级联限幅器性能 | 第76页 |
| 5.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 第六章 结论与展望 | 第78-80页 |
| 6.1 研究结论 | 第78页 |
| 6.2 研究展望 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 作者简介 | 第86-87页 |
| 1.基本情况 | 第86页 |
| 2.教育背景 | 第86页 |
| 3.攻读硕士学位期间的研究成果 | 第86-87页 |
