| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.0 引言 | 第11-12页 |
| 1.1 层状过渡金属硫化物(TMD) | 第12-13页 |
| 1.2 二硫化钼(MoS_2) | 第13-18页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 能带结构 | 第14-16页 |
| 1.2.3 输运性质 | 第16-17页 |
| 1.2.4 自旋轨道耦合 | 第17-18页 |
| 1.3 MoS_2中的缺陷 | 第18-21页 |
| 1.3.1 点缺陷 | 第19-20页 |
| 1.3.2 线缺陷 | 第20-21页 |
| 1.3.3 缺陷对MoS_2性质的影响 | 第21页 |
| 1.4 MoS_2性质的调控 | 第21-28页 |
| 1.4.1 能带调控 | 第22-24页 |
| 1.4.2 磁性调控 | 第24-26页 |
| 1.4.3 催化性调控 | 第26-28页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第28-29页 |
| 第2章 理论基础与计算方法 | 第29-37页 |
| 2.1 薛定谔方程 | 第29页 |
| 2.2 绝热近似 | 第29-30页 |
| 2.3 Hartree-Fock近似 | 第30-31页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第31-35页 |
| 2.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第31-32页 |
| 2.4.2 Kohn-Sham方程 | 第32-33页 |
| 2.4.3 交换关联泛函 | 第33-35页 |
| 2.4.4 Kohn-Sham方程求解方法 | 第35页 |
| 2.5 VASP程序包简介 | 第35-37页 |
| 第3章 卤素原子修饰的MoS_2 | 第37-49页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 计算方法 | 第38-39页 |
| 3.3 计算结果 | 第39-48页 |
| 3.3.1 卤素单原子在MoS_2表面的吸附 | 第39-42页 |
| 3.3.2 卤素二聚体在MoS_2表面的吸附 | 第42-44页 |
| 3.3.3 MoS_2的半卤化 | 第44-47页 |
| 3.3.4 半氟化MoS_2的结构与电子性质 | 第47-48页 |
| 3.4 小结 | 第48-49页 |
| 第4章 气体分子在含缺陷单层MoS_2表面的吸附 | 第49-65页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 计算方法 | 第50页 |
| 4.3 计算结果 | 第50-61页 |
| 4.3.1 孤立分子与含SV的MoS_2 | 第50-51页 |
| 4.3.2 CO_2,N_2和H_2O分子的物理吸附 | 第51-53页 |
| 4.3.3 CO,NO,O_2和NH_3分子的化学吸附 | 第53-59页 |
| 4.3.4 H_2分子和NO_2分子的解离吸附 | 第59-61页 |
| 4.4 讨论 | 第61-62页 |
| 4.5 小结 | 第62-65页 |
| 第5章 MoS_2上磁性原子链的磁性性质与调控 | 第65-79页 |
| 5.1 引言 | 第65-67页 |
| 5.2 计算方法 | 第67页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第67-77页 |
| 5.3.1 TMC/MoS_2的几何结构与稳定性 | 第67-70页 |
| 5.3.2 TMC/MoS_2的磁性性质 | 第70-74页 |
| 5.3.3 应力对TMC/MoS_2磁性性质的调控 | 第74-77页 |
| 5.4 小结 | 第77-79页 |
| 第6章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 总结 | 第79-80页 |
| 6.2 展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-95页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第95页 |
