摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-24页 |
1.1 储能脉冲电容器研究背景与发展 | 第11-15页 |
1.2 储能陶瓷介质的研究进展 | 第15-18页 |
1.2.1 线性介质材料 | 第15-16页 |
1.2.2 铁电介质材料 | 第16-17页 |
1.2.3 反铁电介质材料 | 第17-18页 |
1.3 储能介电陶瓷的主要性能参数 | 第18-20页 |
1.3.1 介电损耗和介电强度 | 第18页 |
1.3.2 极化与介电常数 | 第18-19页 |
1.3.3 电滞回线与储能密度 | 第19-20页 |
1.4 储能脉冲电容器的关键技术 | 第20-22页 |
1.4.1 陶瓷介质材料的选取 | 第20-21页 |
1.4.2 提高陶瓷烧结致密性 | 第21页 |
1.4.3 改进制备工艺 | 第21-22页 |
1.5 本文的研究目的与内容 | 第22-24页 |
第二章 实验与研究方法 | 第24-30页 |
2.1 实验所用原料和仪器 | 第24-25页 |
2.1.1 实验所用原料 | 第24-25页 |
2.1.2 实验设备与仪器 | 第25页 |
2.2 实验分析与测试方法 | 第25-29页 |
2.2.1 热重-差热(TG-DSC)分析 | 第25-26页 |
2.2.2 X射线衍射(XRD)分析 | 第26页 |
2.2.3 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第26-27页 |
2.2.4 能谱(EDS)分析 | 第27页 |
2.2.5 介电和铁电性能测试 | 第27-29页 |
2.3 实验方案设计 | 第29-30页 |
第三章 (1-x)PLZST-(x)Bi YO_3性能研究 | 第30-45页 |
3.1 基本理论模型简介 | 第30-33页 |
3.1.1 PLZST结构 | 第30-31页 |
3.1.2 PLZST的场致相变 | 第31-32页 |
3.1.3 BiYO_3的掺杂原理 | 第32-33页 |
3.2 (1-x)PLZST-(x)Bi YO_3介质块材制备 | 第33-34页 |
3.3 物理性质分析 | 第34-39页 |
3.3.1 PLZST烧结热分析 | 第34-35页 |
3.3.2 物相及表面形貌分析 | 第35-38页 |
3.3.3 EDS能谱分析 | 第38-39页 |
3.4 介电及储能特性 | 第39-44页 |
3.4.1 (1-x)PLZST-(x)Bi YO_3介电性能 | 第39-42页 |
3.4.2 (1-x)PLZST-(x)Bi YO_3储能特性 | 第42-44页 |
3.5 本章小结 | 第44-45页 |
第四章 PLZST/Ba-B-Al-Si玻璃复合性能研究 | 第45-57页 |
4.1 基本理论模型简介 | 第45-47页 |
4.1.1 Ba-B-Al-Si玻璃性能 | 第45-46页 |
4.1.2 玻璃包覆结构 | 第46-47页 |
4.2 PLZST/Ba-B-Al-Si玻璃复合块材制备 | 第47-49页 |
4.2.1 Ba-B-Al-Si玻璃制备及热分析 | 第47-48页 |
4.2.2 PLZST/Ba-B-Al-Si玻璃复合块材制备 | 第48-49页 |
4.3 PLZST/Ba-B-Al-Si玻璃物相及表面形貌 | 第49-52页 |
4.4 PLZST/Ba-B -Al-Si玻璃复合块材介电性能分析 | 第52-53页 |
4.5 PLZST/Ba-B-Al-Si玻璃储能性能分析 | 第53-56页 |
4.6 本章小结 | 第56-57页 |
第五章 PLZST基单层介质电容器制备工艺与性能研究 | 第57-68页 |
5.1 流延法厚膜制备工艺 | 第57-61页 |
5.1.1 流延浆料的组成 | 第57-58页 |
5.1.2 流延工艺参数制定 | 第58-61页 |
5.2 MLCC厚膜的烧结特性 | 第61-62页 |
5.3 MLCC单层介质厚膜性能及表征 | 第62-67页 |
5.3.1 单层陶瓷电容器介质厚度对极化的影响 | 第62-66页 |
5.3.2 结果与分析 | 第66-67页 |
5.4 本章小结 | 第67-68页 |
第六章 全文总结与展望 | 第68-70页 |
6.1 总结 | 第68-69页 |
6.2 展望 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第75-76页 |