| 摘要 | 第3-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-36页 |
| 1.1 中子及中子物理 | 第14-19页 |
| 1.1.1 中子的发现及其性质 | 第14页 |
| 1.1.2 中子与原子核的相互作用 | 第14-19页 |
| 1.2 中子诱发锕系核素裂变物理研究的意义 | 第19-26页 |
| 1.2.1 新型核能利用系统对中子诱发锕系核素裂变反应核数据的需求 | 第19-21页 |
| 1.2.2 中子诱发锕系核素裂变反应核数据的评价现状 | 第21-24页 |
| 1.2.3 中子诱发锕系核素裂变反应机理的研究现状 | 第24-26页 |
| 1.3 中子源物理与技术 | 第26-31页 |
| 1.3.1 放射性同位素中子源 | 第26-27页 |
| 1.3.2 反应堆中子源 | 第27-28页 |
| 1.3.3 加速器中子源 | 第28-31页 |
| 1.4 D-D/D-T强流中子发生器的研究现状及应用前景 | 第31-34页 |
| 1.4.1 国际、国内强流中子发生器研究现状 | 第31-33页 |
| 1.4.2 D-D/D-T强流中子发生器的应用前景 | 第33-34页 |
| 1.5 本论文研究内容 | 第34-36页 |
| 第二章 强流中子发生器的物理设计 | 第36-67页 |
| 2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2 D-D/D-T强流中子发生器总体设计概述 | 第37-38页 |
| 2.3 强流ECR离子源和低能束线模拟与设计 | 第38-49页 |
| 2.3.1 强流ECR离子源及束流引出系统模拟与设计 | 第38-42页 |
| 2.3.2 低能束线的物理设计 | 第42-46页 |
| 2.3.3 低能束线的束流传输模拟 | 第46-49页 |
| 2.3.4 小结 | 第49页 |
| 2.4 加速系统和后传输束线的模拟与设计 | 第49-61页 |
| 2.4.1 400 k V强流加速管结构设计和电场分布模拟 | 第49-52页 |
| 2.4.2 空间电荷透镜的设计 | 第52-55页 |
| 2.4.3 后传输束线的物理设计 | 第55-57页 |
| 2.4.4 强流中子发生器束流传输状态模拟及束线设计参数 | 第57-61页 |
| 2.4.5 小结 | 第61页 |
| 2.5 水冷大面积高速旋转靶设计 | 第61-65页 |
| 2.5.1 水冷旋转靶结构设计 | 第62-63页 |
| 2.5.2 水冷旋转靶表面温度计算 | 第63-65页 |
| 2.5.3 小结 | 第65页 |
| 2.6 总结 | 第65-67页 |
| 第三章 中子发生器中子辐射场计算 | 第67-96页 |
| 3.1 引言 | 第67-68页 |
| 3.2 厚靶D-D/D-T加速器中子源中子辐射场计算 | 第68-82页 |
| 3.2.1 基本理论 | 第68-69页 |
| 3.2.2 厚靶D-D/D-T中子源中子辐射场计算方法 | 第69-71页 |
| 3.2.3 计算所需基础数据及参数 | 第71-75页 |
| 3.2.4 厚靶D-D反应中子场计算结果及讨论 | 第75-78页 |
| 3.2.5 厚靶D-T反应中子场计算结果及讨论 | 第78-81页 |
| 3.2.6 计算数据的不确定性分析 | 第81-82页 |
| 3.3 厚靶D-Be加速器中子源中子辐射场计算 | 第82-94页 |
| 3.3.1 基本理论 | 第82-84页 |
| 3.3.2 厚靶D-Be中子源中子辐射场计算方法 | 第84-86页 |
| 3.3.3 计算所需基础数据及参数 | 第86-88页 |
| 3.3.4 厚靶D-Be反应中子场计算结果及讨论 | 第88-92页 |
| 3.3.5 计算数据的不确定性分析 | 第92-94页 |
| 3.4 总结 | 第94-96页 |
| 第四章D-T快中子诱发锕系核素裂变的MC模拟研究 | 第96-115页 |
| 4.1 引言 | 第96-97页 |
| 4.2 Geant4程序及其裂变物理模型综述 | 第97-98页 |
| 4.3 D-T快中子诱发锕系核素裂变的Geant4模型 | 第98-100页 |
| 4.3.1 几何模型建立 | 第98-99页 |
| 4.3.2 D-T中子源模型建立 | 第99-100页 |
| 4.3.3 Geant4调用的物理模型 | 第100页 |
| 4.4 D-T快中子诱发232Th裂变反应模拟 | 第100-108页 |
| 4.4.1 232Th样品厚度的设定 | 第100-101页 |
| 4.4.2 232Th(n,f)反应裂变碎片产额分布 | 第101-103页 |
| 4.4.3 232Th(n,f)反应裂变碎片动能分布 | 第103-105页 |
| 4.4.4 232Th(n,f)反应裂变中子谱分布 | 第105页 |
| 4.4.5 裂变碎片的衰变 γ 谱模拟 | 第105-108页 |
| 4.5 D-T快中子诱发238U裂变反应模拟 | 第108-114页 |
| 4.5.1 238U样品厚度的设定 | 第108-109页 |
| 4.5.2 238U(n,f)反应裂变碎片产额分布 | 第109-111页 |
| 4.5.3 238U(n,f)反应裂变碎片动能分布 | 第111-112页 |
| 4.5.4 238U(n,f)反应裂变中子谱分布 | 第112-113页 |
| 4.5.5 裂变碎片的衰变 γ 谱分布 | 第113-114页 |
| 4.6 总结 | 第114-115页 |
| 第五章 中子诱发锕系核素裂变物理研究 | 第115-147页 |
| 5.1 引言 | 第115-116页 |
| 5.2 核裂变理论 | 第116-125页 |
| 5.2.1 核裂变理论模型 | 第116-122页 |
| 5.2.2 裂变碎片产额计算程序 | 第122-125页 |
| 5.3 势驱动模型研究中子诱发锕系核素裂变 | 第125-133页 |
| 5.3.1 势驱动模型理论 | 第125-127页 |
| 5.3.2 发射中子前裂变碎片质量数分布 | 第127-133页 |
| 5.4 势驱动模型在Geant4程序中的应用 | 第133-145页 |
| 5.4.1 势驱动模型在Geant4程序中的裂变物理描述 | 第134页 |
| 5.4.2 势驱动模型在Geant4程序中的裂变计算 | 第134-145页 |
| 5.5 总结 | 第145-147页 |
| 第六章 总结与展望 | 第147-151页 |
| 6.1 总结 | 第147-150页 |
| 6.2 展望 | 第150-151页 |
| 参考文献 | 第151-159页 |
| 在校期间的科研成果 | 第159-161页 |
| 致谢 | 第161页 |
