| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 三维封装的简介 | 第10-13页 |
| 1.3 TSV三维封装的工艺流程 | 第13-14页 |
| 1.4 TSV通孔填充 | 第14-17页 |
| 1.5 TSV垂直铜互连镀铜内应力问题及国内外研究现状 | 第17-20页 |
| 1.5.1 热应力的产生及研究现状 | 第18-19页 |
| 1.5.2 TSV中Cu电沉积内应力的产生及研究现状 | 第19-20页 |
| 1.6 本研究的主要内容及意义 | 第20-22页 |
| 第二章 实验方法及原理 | 第22-31页 |
| 2.1 实验设计方案 | 第22-25页 |
| 2.1.1 硫酸铜镀液体系中整平剂对镀层内应力的影响 | 第22-23页 |
| 2.1.2 甲基磺酸铜镀液体系中整平剂对镀层内应力的影响 | 第23-24页 |
| 2.1.3 自退火过程中镀层内应力的演变 | 第24-25页 |
| 2.2 实验样品制备 | 第25-27页 |
| 2.3 测试方法 | 第27-31页 |
| 2.3.1 基体芯片厚度的测量 | 第27页 |
| 2.3.2 镀层内应力测量 | 第27-28页 |
| 2.3.3 镀层结构的织构系数的测量 | 第28-29页 |
| 2.3.4 镀层结构的表征 | 第29页 |
| 2.3.5 镀层晶粒尺寸测量 | 第29页 |
| 2.3.6 镀层杂质含量的测量 | 第29-30页 |
| 2.3.7 添加剂对镀液电化学行为的影响 | 第30-31页 |
| 第三章 硫酸铜镀液中整平剂对镀层内应力的影响 | 第31-51页 |
| 3.1 整平剂对镀层内应力的影响 | 第31-32页 |
| 3.2 不同整平剂对镀层内织构的影响 | 第32-35页 |
| 3.3 不同整平剂对镀层内表面形貌的影响 | 第35-38页 |
| 3.4 整平剂对镀层杂质含量的影响 | 第38-39页 |
| 3.5 整平剂对镀层晶粒尺寸的影响 | 第39-43页 |
| 3.6 不同整平剂在镀液中的电化学行为分析 | 第43-49页 |
| 3.7 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 甲基磺酸铜镀液中整平剂对镀层内应力的影响 | 第51-66页 |
| 4.1 整平剂对镀层内应力的影响 | 第52-53页 |
| 4.2 不同整平剂对镀层内织构的影响 | 第53-55页 |
| 4.3 不同整平剂对镀层内表面形貌的影响 | 第55-57页 |
| 4.4 不同整平剂对镀层晶粒尺寸的影响 | 第57-59页 |
| 4.5 不同整平剂在镀液中的电化学行为分析 | 第59-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 添加剂对镀层自退火的影响 | 第66-80页 |
| 5.1 硫酸铜体系中自退火研究 | 第67-74页 |
| 5.1.1 自退火过程中内应力的演变 | 第67-68页 |
| 5.1.2 自退火过程中织构的演变 | 第68-69页 |
| 5.1.3 自退火过程中晶粒大小的演变 | 第69-73页 |
| 5.1.4 小结 | 第73-74页 |
| 5.2 甲基磺酸铜体系中自退火研究 | 第74-78页 |
| 5.2.1 自退火过程中内应力的演变 | 第74-75页 |
| 5.2.2 自退火过程中织构的演变 | 第75-76页 |
| 5.2.3 自退火过程中晶粒大小的演变 | 第76-78页 |
| 5.2.4 小结 | 第78页 |
| 5.3 本章小结 | 第78-80页 |
| 第六章 全文总结和研究展望 | 第80-82页 |
| 6.1 全文总结 | 第80-81页 |
| 6.2 研究展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文及申请专利 | 第89页 |
