| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1. 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 硅纳米线简介 | 第10-12页 |
| 1.2.1 硅纳米线SERS基底 | 第11-12页 |
| 1.3 表面拉曼增强光谱技术 | 第12-16页 |
| 1.3.1 医学应用 | 第12-13页 |
| 1.3.2 环境监测 | 第13-14页 |
| 1.3.3 食品检测 | 第14-16页 |
| 1.4 表面增强拉曼基底 | 第16-19页 |
| 1.4.1 SERS基底的研究 | 第16-17页 |
| 1.4.2 商用SERS基底 | 第17-19页 |
| 1.5 本论文的创新点和章节安排 | 第19-21页 |
| 2. 拉曼散射及表面增强拉曼散射机制 | 第21-32页 |
| 2.1 拉曼散射 | 第21-27页 |
| 2.1.1 拉曼散射的经典解释 | 第21-24页 |
| 2.1.2 拉曼散射的量子解释 | 第24-27页 |
| 2.2 表面增强拉曼散射机制 | 第27-32页 |
| 2.2.1 物理机制对拉曼散射的影响 | 第28-30页 |
| 2.2.2 化学机制对拉曼散射的影响 | 第30-32页 |
| 3. 硅纳米线阵列的制备 | 第32-45页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 硅纳米线阵列制备方法的研究 | 第32-36页 |
| 3.2.1 “自下而上”(bottom-up)方法 | 第32-34页 |
| 3.2.2 “自上而下”(top-down)方法 | 第34-36页 |
| 3.3 硅纳米线阵列的制作 | 第36-40页 |
| 3.3.1 硅衬底表面的单层聚苯乙烯微球掩膜的制作 | 第36-38页 |
| 3.3.2 硅刻蚀工艺 | 第38-40页 |
| 3.4 实验结果 | 第40-45页 |
| 3.4.1 单层PS微球掩膜制备 | 第41-42页 |
| 3.4.2 硅纳米线阵列刻蚀 | 第42-45页 |
| 4. 基于时域有限差分法的仿真设计 | 第45-52页 |
| 4.1 时域有限差分法介绍 | 第45页 |
| 4.2 金膜覆盖的硅纳米线(AuSiNW)阵列仿真 | 第45-48页 |
| 4.3 金纳米颗粒修饰的金硅纳米线(AuNP/AuSiNW)阵列仿真 | 第48-52页 |
| 5. AuNP/AuSiNW的SERS基底制备和测试 | 第52-59页 |
| 5.1 实验试剂和仪器 | 第52-53页 |
| 5.1.1 化学试剂和材料 | 第52页 |
| 5.1.2 实验仪器 | 第52-53页 |
| 5.2 AuNP/AuSiNW阵列的SERS基底制备 | 第53-54页 |
| 5.3 AuSiNW阵列的SERS基底制备 | 第54-56页 |
| 5.4 拉曼谱测试及讨论 | 第56-59页 |
| 6. 总结和展望 | 第59-61页 |
| 6.1 本文总结 | 第59页 |
| 6.2 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 作者简介 | 第66页 |
| 成果附录 | 第66页 |
