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SiC MOSFET光伏逆变器的研究与设计

摘要第7-9页
Abstract第9-10页
1 绪论第15-21页
    1.1 研究背景第15-17页
    1.2 研究目的与意义第17-18页
    1.3 国内外研究现状第18-19页
    1.4 本文主要研究工作第19-21页
2 SiC MOSFET特性研究及其驱动电路设计第21-30页
    2.1 SiC MOSFET特性研究第21-24页
    2.2 SiC MOSFET驱动电路设计第24-29页
    2.3 本章小结第29-30页
3 400W SiC MOSFET光伏逆变器硬件电路设计第30-45页
    3.1 逆变器总体结构及主控制器选型第30-33页
    3.2 控制电源设计第33-38页
    3.3 电压电流采样和温度采集电路设计第38-41页
    3.4 380V升压电路设计第41-44页
    3.5 本章小结第44-45页
4 软件控制算法原理与设计第45-61页
    4.1 单相全桥逆变器调制原理第45-49页
    4.2 用STM32实现SPWM时输出波形过零点振荡的原因第49-51页
    4.3 解决输出波形过零点振荡的SPWM实现方法第51-55页
    4.4 STM32软件结构设计第55-57页
    4.5 推挽升压程序设计第57-60页
    4.6 本章小结第60-61页
5 实验样机调试第61-70页
    5.1 电源调试第62-63页
    5.2 SPWM和推挽升压驱动波形调试第63-65页
    5.3 逆变器电压闭环控制实验第65-68页
    5.4 THD分析第68-69页
    5.5 本章小结第69-70页
6 总结与展望第70-72页
    6.1 结论第70-71页
    6.2 展望第71-72页
参考文献第72-76页
致谢第76-77页
作者从事科学研究和学习经历简介第77-78页
攻读学位期间取得的学术成果和获奖情况第78页

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