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基于FPGA的NAND Flash控制器系统设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-16页
第一章 绪论第16-20页
    1.1 课题研究背景第16页
    1.2 半导体存储介绍第16-18页
    1.3 课题研究目的和意义第18-19页
    1.4 课题研究内容和结构第19-20页
第二章 NAND Flash存储芯片结构分析及时序分析第20-36页
    2.1 NAND Flash工作原理第20-21页
    2.2 NAND Flash组成结构第21-22页
    2.3 NAND Flash接口信号第22-23页
    2.4 NAND Flash基本操作时序分析第23-27页
        2.4.1 命令锁存操作第25-26页
        2.4.2 地址锁存操作第26-27页
    2.5 NAND Flash命令操作时序分析第27-34页
        2.5.1 页编程操作第27-29页
        2.5.2 读操作第29-30页
        2.5.3 读ID操作第30-31页
        2.5.4 两片同时操作第31-33页
        2.5.5 交错操作第33-34页
        2.5.6 回写操作第34页
    2.6 本章小结第34-36页
第三章 NAND Flash控制器的设计第36-56页
    3.1 系统需求分析与方案制定第36-39页
        3.1.1 系统方案制定第36页
        3.1.2 系统总体框架第36-39页
    3.2 数据缓存模块第39-41页
        3.2.1 缓存模块设计方案第39-40页
        3.2.2 缓存模块设计实现第40-41页
        3.2.3 缓存模块与NAND Flash的数据接口第41页
    3.3 命令控制模块第41-48页
        3.3.1 总体设计第42-43页
        3.3.2 擦除操作第43-44页
        3.3.3 页编程操作第44-45页
        3.3.4 读操作第45-46页
        3.3.5 复位操作和读ID操作第46-48页
    3.4 时序控制模块第48-51页
        3.4.1 时序控制模块整体设计第48-49页
        3.4.2 时序控制模块具体设计第49-51页
    3.5 读写内部计数模块第51页
    3.6 数据校验模块第51-55页
        3.6.1 校验码实现方案第51-52页
        3.6.2 ECC编码方式第52-53页
        3.6.3 ECC生成模块设计第53-54页
        3.6.4 ECC校验模块设计第54-55页
    3.7 本章小结第55-56页
第四章 NAND Flash的坏块检测与处理第56-64页
    4.1 坏块成因第56-57页
        4.1.1 出厂坏块第56页
        4.1.2 使用坏块第56-57页
    4.2 坏块检测第57-60页
        4.2.1 初始坏块检测第57-58页
        4.2.2 使用坏块检测第58-60页
    4.3 坏块处理第60-63页
        4.3.1 坏块屏蔽第60-61页
        4.3.2 坏块替换第61-63页
    4.4 本章小结第63-64页
第五章 NAND Flash控制器功能验证第64-76页
    5.1 NAND Flash验证方法第64-65页
    5.2 仿真平台搭建第65-69页
        5.2.1 命令信号的生成第65-67页
        5.2.2 数据信号的生成第67页
        5.2.3 地址信号的生成第67-69页
    5.3 仿真结果分析第69-73页
        5.3.1 复位功能验证第69-70页
        5.3.2 读ID功能验证第70页
        5.3.3 擦除功能验证第70-71页
        5.3.4 编程功能验证第71页
        5.3.5 读功能验证第71-72页
        5.3.6 ECC功能验证第72-73页
    5.4 NAND Flash控制器板级验证第73-75页
    5.5 本章小结第75-76页
第六章 总结与展望第76-78页
参考文献第78-80页
致谢第80-82页
作者简介第82-83页

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